200V+SOI工艺高压ESD保护器件设计.pdfVIP

摘要 摘要 首选工艺。高压器件在静电放电(ESD)应力下因强回滞(Snap 高功率集成电路的可靠性具有重要意义。 本文基于200V 最后针对Kirk效应导致S01．NLMOS ESD鲁棒性低的问题，提出了一种高ESD鲁棒性的漏极分段 P型阱的SOI．LIGBT结构，该结构能同时满足开念门锁电压和ESD鲁棒性的要求。 Display Model，HBM)测试。 Body 关键词：静电放电，功率集成电路，绝缘体卜硅N型横向双扩散金属氧化物半导体，绝缘体卜硅横向 绝缘栅双极型晶体管，热特性 Abstract Abstract The SOl hasbeenthe inPower itis highvoltageprocess preferredprocesses IntegratedC