GB/T 24582-2009酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定　多晶硅表面金属杂质.pdf

ICS 29. 045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T 24582—2009 酸浸取■电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质 Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction -inductively coupled plasma mass spectrometry 2009-10-30 发布 2010-06-01 实施 发布 GB/T 24582—2009 前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)提出并归口 本标准负责起草单位:新光硅业科技责任有限公司。 本标准主要起草人：王波、过惠芬、吴道荣、梁洪、敖细平。 I GB/T 24582—2009 酸浸取■电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质 1范围 1. 1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质 ，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表 面上的金属杂质痕量分析方法。 1.2本标准适用于碱金属 、碱土金属和第一系列过渡元素如钠 、钾、钙、铁、镰、铜、锌以及其他元素如铝 的检测。 1.3本标准适用于各种棒 、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测 。由于块、片或粒形状不规则 ，面积 很难准确测定，故根据样品重量计算结果，使用的样品重量为50 g~300 g,检测限为0.01 ng/mLo 1.4酸的浓度、组成、温度和浸取吋间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率 。在这个实验方 法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5本标准适用于重量为25 g〜5 000 g的样品的测定，为了达到仲裁的目的，该实验方法规定样品的 重量为约300 go 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 。凡是不注日期的引用文件 ，其最新版本适用于本标准。 ISO 14644-1洁净室和相应的受控环境 第1部分：空气中的悬浮粒子的分类 SEMI C28氢氟酸的详细说明和指导 SEMI C30过氧化氢的详细说明和指导 SEMI C35硝酸的详细说明和指导 ASTM D5127电子和半导体工业中用超纯水指南 3术语、定义和缩略语 3. 1术语和定义 下列术语和定义适用于本标准。 3. 1. 1 酸空白 acid blank 用来做空白的酸以及操作中含有微量金属杂质的浸取酸。 3. 1.2 浸取空白 digested blank 不加样品，经过浸取和分析过程的一个酸样品，用于监控分析过程，包括酸的纯度、浸取瓶的洁净 度、交叉污染和环境洁净度。 3. 1.3 浸取控制标准 digested control standard 制备的已知浓度的被分析元素的样品 ，以对仪器和浸取过程校准检查。 1 GB/T 24582—2009 3. 1.4 浸取 digestion