半导体物理学（刘恩科）第7版_.pdfVIP

[General Information] 书名=半导体物理学 （第七版） 作者= 页数= 出版社= 出版日期= SS号 DX号=000006533187 url=/DrsPath.do?kid=61 626061686360653133393333393130username=hzs fxyspagenum=1pages=50fid=8551595a=98dc7 6988dbe532b91d572cd686f8210btime=2011-12-0 1etime=2011-12-21template=bookdsr1firstd rs=http%3A%2F%2F%2FbookDetai l.jsp%3FdxNumber%3D000006533187%26d%3D3CCD1 D6A28511F04AFC3CFC561852833 封面 书名 版权 前言 目录 主要参数符号表 第1章 半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质 金刚石型结构和共价键 闪锌矿型结构和混合键 纤锌矿型结构 半导体中的电子状态和能带 原子的能级和晶体的能带 半导体中电子的状态和能带 导体、半导体、绝缘体的能带 半导体中电子的运动有效质量 半导体中E（k）与k的关系 半导体中电子的平均速度 半导体中电子的加速度 有效质量的意义 本征半导体的导电机构空穴 回旋共振 k空间等能面 回旋共振 硅和锗的能带结构 硅和锗的导带结构 硅和锗的价带结构 Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构 锑化铟的能带结构 砷化镓的能带结构 磷化镓和磷化铟的能带结构 混合晶体的能带结构 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 二元化合物的能带结构 混合晶体的能带结构 Si1-xGex合金的能带 宽禁带半导体材料 GaN,AlN的晶格结构和能带 SiC的晶格结构与能带 习题 参考资料 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 硅、锗晶体中的杂质能级 替位式杂质间隙式杂质 施主杂质、施主能级 受主杂质、受主能级 浅能级杂质电离能的简单计算 杂质的补偿作用 深能级杂质 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 缺陷、位错能级 点缺陷