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扩散电容-2 扩散电容与正向电流成正比 练习 1、为什么pn结在反偏压下有一小的饱和电流 2、试分别描述势垒电容和扩散电容的由来 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体物理学 金属和半导体的接触 金属和半导体的功函数 金属和半导体的接触 金属和半导体的接触 整流理论 金属和N型半导体的接触 扩散理论 对于N型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大地多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。 扩散理论适用于厚阻挡 肖特基势垒二极管与二极管的比较 相同点 单向导电性 不同点 正向导通时，pn结正向电流由少数载流子的扩散运动形成，而肖特基势垒二极管的正向电流由半导体的多数载流子发生漂移运动直接进入金属形成，因此后者比前者具有更好的高频特性 肖特基势垒二极管的势垒区只存在于半导体一侧 肖特基势垒二极管具有较低的导通电压，一般为0.3V，pn结一般为0.7V 欧姆接触 欧姆接触 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，为非整流接触 若 ，金属和n型半导体接触可形成反阻挡层； 时，金属和p型半导体接触也能形成反阻挡层，反阻挡层没有整流作用，可实现欧姆接触 实际生
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