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第六章 真空蒸镀蒸发镀膜概述真空蒸发镀膜： 把装有基片的真空室抽成真空，使气压达到10-2Pa以下，然后加热蒸发源中的镀料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。蒸发镀膜概述真空蒸发结构真空室：为蒸发过程提供必要的真空环境;蒸发源: 放置蒸发材料并对其加热；基板：用于接收蒸发物质并在其表面形成固体物质；基板加热器及测量器等。蒸发镀膜概述蒸发镀膜的三个条件： 热的气相源低温基板（基片）真空环境蒸发镀膜的三个基本过程： 加热蒸发过程气相原子或分子的输运过程（源-基距）蒸发原子或分子在基片表面的淀积过程镀料的蒸发饱和蒸气压在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体处于平衡过程中所表现出的压力，称为该物质在该温度下的饱和蒸气压。镀料的蒸发饱和蒸气压镀料的蒸发饱和蒸气压镀料的蒸发饱和蒸气压蒸发温度金属分子量不同蒸气压Pv(Pa)下的温度T（K）熔点（K）蒸发速率*10-810-610-410-2100102Au1979641080122014051670204013366.1Ag107.975984795811051300160512349.4Al27860958108512451490183093218Ga69.7796892101511801405174530311Si28.1114512651420161019052330168515Zn65.435439645052061776069317Cd112.431034739245053866559414As74.9340377423477550645109017C12176519302140241027303170413019Ta18120202230251028603330398032704.5W183.821502390268030303500418036504.4 一些常用材料的蒸气压与温度关系镀料的蒸发蒸发粒子的速度和能量 对于绝大部分可以热蒸发的材料，蒸发温度在1000-2500 ℃范围内，蒸发粒子的平均速度约为1000 m/s，对应的平均动能约为0.1-0.2eV。蒸发速率单位时间蒸发到基板上的蒸发物质的量 (分子数或质量)。可见，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速率发生很大的变化。因此在制膜过程中，要想控制蒸发速率，必须精确控制蒸发源的温度，加热时应尽量避免产生过大的温度梯度。蒸发源 蒸发源是蒸发装置的关键部件，最常用的有：电阻法电子束法高频法等激光法等蒸发源电阻蒸发源电阻蒸发源通常用于熔点低于1500℃的镀料。灯丝或者蒸发舟等加热体所需电功率一般为（150-500）A*10V，为低电压大电流供电方式。通过电流的焦耳热使镀料熔化、蒸发或者升华。直接加热法：W、Mo、Ta间接加热法：Al2O3、BeO 等坩埚蒸发源电阻蒸发源对蒸发源材料的要求：高熔点饱和蒸气压低化学性能稳定，高温下不与蒸发材料反应良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化小原料丰富、经济耐用电阻蒸发源的优点：电阻蒸发源的缺点：不能蒸发某些难熔金属，不能制备高纯度薄膜。结构简单使用方便造价低廉蒸发源电阻蒸发源为了使蒸发源材料所蒸发的数量非常少，在选择蒸发源材料时，要保证镀料的蒸发温度应低于该表中蒸发源材料在平衡蒸气压为 10-8 Torr时的温度。蒸发源电阻蒸发源：常用的蒸发源形状间接加热式蒸发源。多用于熔点低、化学活性大、容易与加热丝形成合金的镀料直接加热式块状蒸发源，用石墨、氮化硼等做成导电坩埚。电、热、机械、抗蚀性能稳定。蒸发源电子束蒸发源电子束加热原理是基于电子在电场作用下，获得动能轰击处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材料加热气化，而实现蒸发镀膜。 电子束蒸发源定义：将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。蒸发源电子束蒸发源优点：电子束的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度。被蒸发材料置于水冷坩埚内，避免了容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸发材料的反应，适宜制备高纯度薄膜。热量直接加到蒸镀材料表面，热效率高，热传导和热辐射损失小。缺点： 可使蒸发气体和残余气体电离，有时会影响膜层质量； 电子束蒸镀装置结构复杂，价格昂贵； 产生的软X射线对人体有一定的伤害。蒸发源电子束蒸发源：结构型式根据电子束蒸发源的型式不同，可分为环抢、直枪、e型枪、空心阴极枪，由于环抢、直枪固有缺点，近年来用的比较多的有e型枪、空心阴极枪。电子枪需要在高真空条件下才能正常发射电子束。蒸发源电子束蒸发源：结构型式使用方便，能量密度高，易于调节控制。体积大、成本高，蒸镀材料会污染枪体结构，存在从灯丝逸出的Na离子污染直枪蒸发源简图蒸发源电子束蒸发源：结构型式e型枪的结构和工作原理蒸发源电子束蒸发源：结构型式e 型枪优点：1）电子束偏转270度，避免了正离子对膜