工业材料200105p111果尚志扫描探针微影术在奈米科技上之应用.docVIP

TITLE 工業材料200105p111果尚志★掃描探針微影術在奈米科技上之應用 from﹕ SUBJECT ITRI-ITIS-MEMS- AUTHOR Rational You: RationalYou@ 【 FILENAME \p H:\■工業材料■電子與材料\工業材料2001\工業材料200105(MEMS、Nano)\工業材料200105p111果尚志★掃描探針微影術在奈米科技上之應用★.doc】 All﹕ NUMPAGES 15pages（ TIME \@ yyyy/M/d 2002/2/26）【PAGE3】 掃描探針微影術在奈米科技上之應用 〈( 〈(國立清華大學物理系教授)果尚志〉《掃描探針微影術在奈米科技上之應用》〔工業材料2001/05, p111~125〕 TOC \o 1-7 \h \z 掃描探針微影術在奈米科技上之應用 1 (A) 摘要 2 (B) 引言 2 (C) 實驗技術 3 (1) 1. 掃描探針氧化作用 3 ◆圖一﹕在空氣中使用AFM 導電探針作局部場致氧化實驗的示意圖。 4 (2) 濕式圖形轉移 4 (3) 區域選擇性化學氣相沈積 5 (D) 顯微Auger 分析 5 (1) 顯微Auger 分析 5 ◆圖二﹕顯微Auger 分析 5 ◆圖三 ﹕在AFM 場致氧化區域上與原生的LPCVD氮化矽薄膜區域上的Auger 電子能譜。 6 (2) 顯微Auger 分析-2 6 ◆圖四﹕顯微Auger 分析-3■■ 6 (3) 顯微Auger 分析-3 6 ◆圖五﹕氮化鈦薄膜上的顯微Auger 分析影像。 6 (E) 氮化矽的場致氧化動力學 7 (1) 圖◆六 7 ◆圖六﹕氧化高度(h)對外加電壓(V)的關係 7 (2) 圖◆七 8 ◆圖七﹕ 8 (3) 表◆一 8 (F) 在奈米結構製作上的應用 9 (1) 1. 矽的奈米加工 9 ◆圖 八﹕在由低壓化學氣相沈積製作出的氮化矽薄膜上所製作出的氧化點陣﹐其面密度為1 0 0Gbits/in 2 ﹐所使用的電壓為9V ﹐電壓持續時間為5ms 200 nm 9 ◆表一﹕Growth kinetic parameters of AFM-induced oxidation on silicon nitride and silicon 9 (2) 圖◆九 10 ◆圖 九﹕ (a)在LPCVD 氮化矽薄膜上的氧化線的AFM 影像。(b)此一區域的氧化線在浸泡氟化氫水溶液後﹐形成溝槽。(c)同一區域在經過KOH 蝕刻後形成矽表面的V 形深溝槽結構 10 (3) 圖◆十 10 ◆圖 十﹕(a) 矽基底上的倒金字塔形凹洞陣列的AFM 影像。(b)單一倒金字塔形凹洞的AFM 影像 10 (4) 矽點與矽線的奈米尺度選擇性磊晶成長 10 ◆圖十一﹕備製SiO2 /Si3 N4 雙層成長遮罩的程序簡圖。成長圖形是經由AFM 在氮化矽薄膜上(以導電p 型-矽為基底)利用大氣中的場致氧化作用形成的(步驟1 )。接著浸泡氟化氫水溶液﹐選擇性地將氧化區域蝕刻去除(步驟2 )。在經過電漿氧化作用後﹐整個表面將生成薄薄一層氧化物(步驟3 )。為了使矽開口裸露出來﹐此樣品先經過氫氣電漿處理然後快速加熱至高溫(步驟4 )。最後﹐完成選擇性磊晶成長(步驟5 ) 11 (5) 圖◆十二 11 ◆圖十二﹕(a)在氧化矽／氮化矽雙層遮罩中所露出的矽開口上﹐選擇性成長出的矽點的AFM 影像(1010 μm 2 )。此選擇性磊晶成長是利用Si2 H6 為前導物在超高真空化學氣相沈積反應室中完成。(b)成長出的矽點的截面圖形 12 (6) 圖◆十三 12 ◆圖十三﹕(a)在氧化矽／氮化矽雙層遮罩中所露出的矽開口上﹐選擇性成長出的矽線的AFM 影像(55 μm 2 )。(b)成長出的矽線之截面圖形﹐具有典型的雙脊狀結構 12 (G) 結 語 12 (H) 致 謝 12 (I) 參考文獻 12 摘要關鍵詞：掃描探針微影術(Scanning-Probe Lithography; SPL)、奈米科技(Nano Technology)、氮化矽薄膜(Si3 N4 Mask)、化學氣相沈積(CVD) 關鍵詞：掃描探針微影術(Scanning-Probe Lithography; SPL)、奈米科技(Nano Technology)、氮化矽薄膜(Si3 N4 Mask)、化學氣相沈積(CVD) 掃描探針微影術是利用掃描探針顯微鏡(如﹕原子力顯微鏡、掃描穿隧顯微鏡…等)來進