GB/T 35306-2017硅单晶中碳、氧含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法.pdf

ICS 77.040 H 17 £3© 中华人民共和国国家标准 GB/T 35306—2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon — Low temperature fourier transform infrared spectrometry 2017-12-29 发布 2018-07-01 实施 发布 GB/T 35306—2017 ■ r ■ —— 刖 弓 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司 、宜昌南玻硅材 料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司 新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司。 本标准主要起草人：张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞 、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、 蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕。 T GB/T 35306—2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 1范围 本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 £1 - cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 £1 - cm的P型硅 单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。 本标准测定碳、氧含量的有效范围从5X 1014 atoms • cm_:i (0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的 最大固溶度。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件 ，仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 ASTM E131 分子光谱有关术语 (Standard terminology relating to molecular spectroscopy) 3术语和定义 GB/T 14264和ASTM E131界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 背景光谱 background spectrum 在红外光谱仪中，无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线 ，通常包括氮气、空气等信息。 3.2 参 比光谱 reference spectrum 参比样品的光谱 。对于双光束仪器，参比光谱是直接将参比样品放置于样品光路，让参