GB/T 29844-2013用于先进集成电路光刻工艺综合评估的图形规范.pdf

ICS 31. 030 一 _ __ 一 中华人民共和 国 国彖标准 GB/T 29844—2013 用于先进集成电路光刻工艺综合 评估的图形规范 Specifications for metrology patterns for the evaluation of advanced photolithgraphy 2013-11-12 发布 2014-04-15 实施 GB/T 29844—2013 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1. 1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)提出并归口。 本标准起草单位：上海华虹NEC 电子有限公司。 本标准主要起草人 ：王雷、伍强、朱骏、陈宝钦。 T GB/T 29844—2013 用于先进集成电路光刻工艺综合 评估的图形规范 1范围 本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸，以及推 荐的布局和设计规则 ，这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元。 本标准适用集成电路的丁艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作岀评价及交替移相 掩模版相位测量，适用于g线、i线、KrF 、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺” 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件 ，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 16878— 1997用于集成电路制造技术的检测图形单元规范 SJ/T 10584— 1994微电子学光掩蔽技术术语 3术语和定义 GB/T 16878— 1997和SJ/T 10584— 1994界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 掩模版误差因子 mask error factor；MEF 把掩模版上的图形转移到硅片上时 ，硅片上图形线宽对掩模版线宽的偏导数。 注 ：影响掩模版误差因子的因索有曝光条件、光刻胶性能、光刻机透镜像差、后烘温度等 。对远大丁•曝光波长的图 ，掩模版误差因子通常非常接近1 。对接近或者小于波长的图 ，掩模版误差因子会显著增加 。而使用交替 相移掩模版的线条光刻可以产生显著小于1的掩模板误差因子 。在光学邻近效应校正中细小补偿结构附近会 显著小于1。 3.2 移相掩模版 phase shift mask 在光刻掩模的不同区域上制作出特定的光学厚度，使得光透过不同区域产生相位差 ，以达到提高成 像对比度和光刻工艺窗口的掩模版。 3. 3 离轴照明 off-axis illumination 为进一步提高投影光刻机的光刻分辨率,让照明光束以偏离透镜对称轴方向斜入射的照明方法。 3.4 光酸分子有效扩散长度 effective diffu