功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管.pptVIP

第一章 电力半导体器件;1.5 功率场效应晶体管—全控型;1.5 功率场效应晶体管—全控型;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;功率MOSFET的芯片内部结构;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;1.5.1 P-MOSFET的结构和工作原理;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;P-MOSFET元件极间电容的等效电路;1.5.2 P-MOSFET的基本特性;1.5.3 P-MOSFET的主要参数 ;1.5.3 P-MOSFET的主要参数 ; 功率MOSFET具有电流负温度效应，没有二次击穿问题，具有非常宽的安全工作区，特别是在高电压范围内，但是功率MOSFET的通态电阻比较大，所以在低压部分不仅受最大电流的限制，还要受到自身功耗的限制。;① 正向偏置安全工作区(FBSOA) 正向偏置安全工作区由四条边界极限所包围的区域。漏源通态电阻线，最大漏极电流线，最大功耗限制线和最大漏源电压线， ② 开关安全???作区(SSOA) 开关安全工作区(SSOA)表示器件工作的极限范围。在功率MOSFET换流过程中，当器件体内反并联二级管从导通状态进入反向恢复期时，如果漏极电压上升过大，则很容易造成器件损坏。二极管反向恢复期内漏源极的电压上升率称为二极管恢复耐量，二极管恢复耐量是功率MOSFET可靠性的一个重要参数。 ③ 换向安全工作区(CSOA) ;1.5.5 P-MOSFET的门极驱动电路;(2) 功率MOSFET对栅极驱动电路的要求 ①保证功率MOSFET可靠开通和关断，触发脉冲前、后沿要求陡峭。 ② 减小驱动电路的输出电阻，提高功率MOSFET的开关速度。 ③触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在功率MOSFET截止时，能提供负的栅源电压。 ④ 功率MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充、放电电流。;⑤ 驱动电路应实现主电路与控制电路之间的隔离，避免功率电路对控制信号造成干扰。 ⑥ 驱动电路应能提供适当的保护功能，使得功率管可靠工作，如低压锁存保护、过电流保护、过热保护及驱动电压箝位保护等。 ⑦ 驱动电源必须并联旁路电容，它不仅滤除噪声，也用于给负载提供瞬时电流，加快功率MOSFET的开关速度。;(3) P-MOSFET驱动电路的驱动方式 ① 直接驱动 TTL驱动电路;② 隔离驱动电路;对于VDMOS，其驱动电路非常简单，但在高速开关驱动时或在并联运行时，可在其驱动电路的输出级上接入射极跟随器，并尽可能地减小输出电阻，以缩短它的开通和关断时间。如果在驱动信号上做到阻断时栅源电压小于零，就能进一步缩短关断时间。;;1.6 绝缘栅双极晶体管—全控型;1.6 绝缘栅双极晶体管—全控型;1.6.1 IGBT的结构和工作原理;1.6.1 IGBT的结构和工作原理;1.6.1 IGBT的结构和工作原理;I;1.6.2 IGBT的基本特性;1.6.2 IGBT的基本特性;1.6.2 IGBT的基本特性;1.6.3 IGBT的主要参数;1.6.3 IGBT的主要参数;1.6.3 绝缘栅双极晶体管;1.6.4 IGBT的擎住效应和安全工作区;1.6.4 IGBT的擎住效应和安全工作区; IGBT开通时的正向偏置安全工作区由电流、电压和功耗三条边界极限包围而成。最大集电极电流ICM是根据避免动态擎住而确定的；最大集射极电压UCEM是由IGBT中PNP晶体管的击穿电压所确定；最大功耗则由最高允许结温所决定。 IGBT关断时的反向偏置安全工作区与IGBT关断时的du/dt有关，du/dt越高，RBSOA越窄。;1.6.5 IGBT的栅极驱动电路; 2) IGBT栅极驱动电路应满足的条件 ① 栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。 ② 在IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要具??足够的幅度。 ③ 栅极驱动电路的输出阻抗应尽可能地低。 栅极驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和引起的误触发等问题。;1）阻尼滤波门极驱动电路： 为了消除可能的振荡现象，IGBT的栅射极间接上RC网络组成阻尼滤波器且连线采用双绞线;2） 光耦合器门极驱动电路 ： 驱动电路的输出级采用互补电路的型式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。;3）脉冲变压器直接驱动IGBT的电路 由于是电磁隔离方式，驱动级不需要专门直流电源，简化了