第一章-三极管05575.pptVIP

一、晶体管内部载流子的运动 一、输入特性曲线 二、输出特性曲线 * * * * * * * * * * * * * * * 1.3 晶体三极管 管中有两种不同极性的载流子参与导电， 所以又称做双极型晶体管 由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件 BJT 较薄，掺杂浓度低 面积很大 掺杂浓度很高 集电结 发射结 NPN型 P N N 发射区 集电区 基区 基极b 发射极e 集电极c 1.3.1 晶体管的结构及类型 集电结 发射结 NPN型 c P N N e b 发射区 集电区 基区 基极 发射极 集电极 发射结 集电区 PNP型 N P P e b 基区 集电结 发射区 集电极 c 发射极 基极 　 　 c b e e c b 我国晶体管的型号命名方法 3AX81 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 1.3.2 晶体管的电流放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 三极管放大的外部条件： VBB VCC - uo + Rb Rc 共射放大电路 电流单位：mA iB 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 iC 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 iE 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 iB iC iE 35 37.5 38.3 38.8 39.5 少数载流子的运动 发射区多子浓度高，大量电子从发射区扩散到基区 基区薄且多子浓度低， 极少数扩散到基区的 电子与空穴复合 集电区面积大，在外电场 作用下大部分扩散到基区 的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 二、晶体管的电流分配关系 扩散运动形成发射极电流IE 复合运动形成基极电流IB 漂移运动形成集电极电流IC IE=IC+IB IE= IEN+ IEP =ICN + IBN + IEP IB=IEP+ IBN－ICBO IC = ICN + ICBO I`B 三、晶体管的共射电流放大系数 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 不太大时，可认为 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的任何一条输入特性曲线可以近似UCE大于1V的所有曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 b e c 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时 iC随uCE变化很大？ 为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 输出特性曲线可以分为三个区域: iB=0， iC≈0 截止区 饱和区 放大区 截止区 发射结电压小于开启电压 集电结反偏 uBE≤Uon ,且uCE uBE 晶体管C、E之间相当于开路 放大区 输出特性曲线可以分为三个区域: 放大区 发射结正偏 集电结反偏 uBE Uon ,且uCE ≥ uBE 曲线基本平行等距。 输出曲线具有恒流特性 饱和区 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区 发射结正偏 集电结正偏 uBE Uon ,且uCEuBE iC不仅与iB有关， 而且明显随uCE的增大而增大 uCE=uBE 临界状态 直流参数、交流参数、极限参数 一、直流参数 1.共射直流电流放大系数 2.共基直流电流放大系数 3.集电极基极间反向饱和电流ICBO 集电极发射极间的穿透电流ICEO 1.3.3 晶体管的主要参数 Rs + ui – + – us T1 RL Rc T2 + uo – b c e b c e + + ICBO e c b ICEO