GB/T 5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法.pdf

ICS 77. 040. 01 H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T 5252—2006 代替 GB/T 5252— 1985 错单晶位错腐蚀坑密度测量方法 Germanium monocrystal —Inspection of dislocation etch pit density 2006-07-18 发布 2006-11-01 实施 发布 GB/T 5252—2006 ■ 1 / ■ ■ 1 刖 a 本标准是对GB/T 5252— 1985 《错单晶位错腐蚀坑密度测量方法》的修订。 本标准与原标准相比 ，主要变动如下： 将原标准中的适用范围改为0 cm-2〜100 000 cm； ——取消了原标准中对磨砂牌号的规定； ——更正原标准中位错密度单位。 本标准自实施之日起代替GB/T 5252 —1985。 本标准由中国有色金属T业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准起草单位:北京有色金属研究总院。 本标准主要起草人:余怀之，刘建平。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 5252— 1985O T GB/T 5252—2006 错单晶位错腐蚀坑密度测量方法 1范围 本标准适用于位错密度0 cnT$〜100 000 cm的n型和p型错单晶棒或片的位错密度或其他缺陷 的测量 。观察面为（111）,（100）和（U3）面。 2术语和定义 以下术语和定义适用于本标准。 2. 1 位错 dislocation 单晶中，部分原子受应力的作用产生滑移 。已滑移部分与未滑移部分的分界线为位错线，简称 位错。 2.2 位错密度 dislocation density 单位体积内位错线的总长度称为位错密度 （cm/cn?） 。本标准指单位表面上位错腐蚀坑的数目 （个 / cm2） o 2.3 位错堆 pile — up of dislocation 某区域的位错密度高于该断面其他区域的平均位错密度5倍以上，且其面积大于视场面积5倍以 上,则称此区域为位错堆 （图l）o 2.4 平底坑 flat base pit 单晶经化学腐蚀后 ，除位错腐蚀坑外，还有一些浅坑，这里称平底坑 。它可能是由于空位或晶体的 夹杂（如Si（） ）等因素所致 （图2）0 2.5 小角度晶界 small-angle boundary 单晶中取向差很小的小晶粒的交界面称为小角度晶界 。要求1 nrni长度内位错腐蚀坑在15个以 上，且长度在1. 5 mm以上 。（111）面上的位错腐蚀坑呈现一系列以角顶着底边的排列形式 （图3）。 2.6 滑移线 （位错排 ）slip line 由于沿着滑移面滑移，在晶体表面形成的线称滑移线或位错排 。要求1 nrni长度内位错腐蚀坑在 15个以上，且长度在1. 5 mm以上 。（111）面上的滑移线，位错腐蚀坑按＜110＞方向排列成行，每一腐 蚀坑的底边都在同一条直线上 （图4）。 2.7 星形结构 star structure 由许多位错腐蚀坑在宏观上排列成三角形或六角形的星形结构 （图5）0 2.