HCl、HBr分子化学键断裂过程中内禀特征轮廓与轮廓上电子密度的变化.pdfVIP

HCI、HBr分子化学键断裂过程中内禀特征轮廓及轮廓上电子密度的变化 的能量等于分子的第一电离能的负值，则有方程矿(五)=一／E成立，这里矿(置)为分子中 一个电子所受到的作用势，皿代表分子的第一电离能(Ionization Energy)，点且则为分子 的内禀特征轮廓点，此方程为电子运动的经典转折点方程。所有此类内禀特征轮廓点的集 台，即构成分子内禀特征轮廓。依据分子内禀特征轮廓模型，来研究分子的内禀特征轮廓， 必须计算出分子中一个电子逗留在空间某处时，它所受到的分子中所有的原子核和其它电 子对该电子的作用势能，也就是如何把分子中的一个电子在空间某一位置所受到的作用势 表逃和计算出来。这里我们所说的作用势是分子体系内一个电子在空间某一处所受到的作 用势一它是分子内所有原子核和其余电子对它的作用势之和，称之为分子中一个电子所受 onan 到的作用势【3“3](Potential Electronwithina Actmg Molecule，简写为PAEM)。分子中 一个电子所受到的作用势是体系内其余粒子对它的局域作用势，因此它完全不同于考