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- 2019-06-20 发布于安徽
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摘 要
锆钛酸铅(Pb (ZrTi )O ,0x1)是传统的铁电材料之一。由于其独特的铁电、
x 1-x 3
热电以及压电等性能,基于铁电薄膜的器件一直受到人们的密切关注。通过改变锆钛配
比或者掺杂外来元素,能极大的改变其晶体结构从而影响其电学性能。其薄膜材料制备
的器件在小型电子设备传感器、微机电系统(MEMS)以及非易失性存储器(NVM)方面
也备受宠爱。这也是许多年来人们依旧在研究它的重要原因。PZT 有钙钛矿材料共有的
ABO 结构,由于不同种类的离子所受的电性束缚不同,受束缚较弱的离子在外加电场作
3
用下会产生定向极化,这种结构的材料一般都有较强的铁电性。本文以PZT 靶材以及薄
膜的制备和特性研究为目的,分别探究了利用导电衬底的 PZT/NSTO 结构和利用不导电
衬底并插入导电缓冲层的PZT/SRO/STO 结构。
主要的步骤如下:
一、 采用固体反应法,制备了锆钛比为52:48 的PZT 靶材。因为经过调研发现
在室温下,x = 0.52 附近是三角-四方相界,这是一条准同型相界,该相界附近的区域
内,材料的结构属于铁电四方相和铁电三方相的过渡区,一般是两相共存的,在这个区
域内,铁电体的晶
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