斜切衬底上GeSi量子点的固相外延生长与量子点的发光特性.pdfVIP

第一章 引言 近年来，由于半导体纳米结构的新的光学和电学性质，以及它们在微电子和光 电子器件应用方面的潜力Ⅲ，对半导体纳米结构的研究引起了人们很大的兴趣。在 这些纳米结构中，自由载流子被约束在很小的空间，如果这个空间的范围小于电子 的波长，电子的能带结构将分裂为分立的能级。量子点就象人造原子一样，其中的 电子受到各个方向的约束，呈现出较强的，类似原子发光一样的光学性质睁“。 对半导体纳米结构的研究与开发，早期主要集中于GaAs等III—V族直接带隙 的半导体材料‰“。由于6eSi材料是间接带隙结构，被认为不能用来研制发光器 件。但纳米结构所体现的新的特性以及可以与目前成熟的GeSi材料工艺相兼容，近 年来GeSi发光材料的研究引起的了人们的兴趣。 硅基量子点的制备方法有许多种，其中自组织生长量子点是获得高质量量子点 的有效途径。所谓自组织生长量子点，是利用外延材料与衬底材料的晶格失配在外 延层中引入的应力随外延层厚度的增加而增加，积累到一定程度外延材料通过成岛 释放应力，从而得到量子点。在量子点材料研究领域中，一个关键问题是如何得到 尺寸小，密度高，均匀性好且排列有序的量子点，以提高其发光效率。目前实现此 一目标的一种新方法就是采用斜切的si衬底片。Zhu等已开展了这方面的工作[7]， 得到一些结果。本工作对斜切衬底上固相外延Ge量子点的最佳生长条件进行了探 索，得到了均匀性较好，尺寸较小的量子点。同时观察到一些有趣的现象。 对Ge量子点的光学特性以及电学特性的研究也引起了人们的关注。有关Ge量 子点的光致发光的研究还处于探索阶段，其发光机制也并不清晰。Palange等“。在 Si(001)面上外延生长Ge量子点结构，并观察到来自于Ge量子点的光致发光。 条件和成岛密度，并观察到相应的光致发光。本文采用分子束外延技术中的自组织 20分钟， 观察到量子点的光致发光。 本文由以下章节组成： 第一章引言部分简要介绍了6eSi低维量子材料特别是OeSi量子点的研究进 展。 第二章介绍了本实验室的硅分子束外延系统及相关的测试表征技术。 第三章主要讨论了Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长。 第四章主要讨论了Si中Ge量子点的光致发光。 参考文献 [1]A．P．A1ivisatos，Science271(1996)933 138 Lett．73(1994)l Phys。Rev．Lett．72(1994)3382 1966 [6j Growth 197(1999)67 [7 1 fordoctor JianhongZhu，paper degree [8]E．Palange，G．Capellini，L．1)iand Gaspare 1ett．，1996，68，2982—2984 D．Meertensand W．Jager，Semicond。Sci．Techn01．，1996，11，1521—1528 6 第二章 硅分子束外延系统及表征技术 §2．1硅分子束外延系统介绍 EVA一32的超高真空si分子束外延 Gesi量子点的生长是在一台型号为Riber 系统中进行的，其结构如图2．1所示。si分子束外延系统是由进样室(预室)和 生长室(主室)组成的。二室之间通过超高真空插板阀隔开。 Pa。进样 样品进入预室后由涡轮分子泵及离子泵将室内气压由大气压抽至10。6 室是用于保证生长室的超高真空不被破坏的条件下快速进样以及对样品进行预处 理。室内主要有双头样品架，抽气系统(离子泵和钛升华泵)和磁力传样杆。 预处理后的样品由磁力传样杆送入生长室。 分子柬外延是在生长室内完成的。除了抽气系统外，还配