透明导电氧化物薄膜在四元LED上的应用分析.pdfVIP

万方数据 摘要 1 摘要 发光二极管 （Light-Eimitting Diode 简称LED ）因具有低能耗、长寿命、绿色 环保等的优点，而成为2l 世纪最具成长力的新一代照明光源。随着III-V 族半导体 工艺的日趋成熟，LED 芯片研制不断向高效高亮度方向发展。电流扩展层的应用 可以大幅提升LED 的外量子效率，是提高LED 器件性能的一个重要方法。本文基 于AlGalnP 基四元LED ，研究了ITO （氧化铟锡）薄膜作为电流扩展层在LED 中 的应用。 通过实验和分析，研究了电子束蒸镀ITO 薄膜的工艺条件对薄膜质量的影响， 表明了薄膜的致密性随生长速率的提高而提高，但薄膜的透过率却会随之而下降。 蒸镀完成后，通过热处理使ITO 薄膜光电特性得到一定改善，折射率增大。 通过实验表明，ITO 的应用使LED 芯片器件的光功率提高35.8%，并且减小 了波长的红移。综合分析ITO 薄膜在LED 中的增透原理以及热处理对ITO 薄膜折 射率的影响，进而优化ITO 膜层厚度，提升了LED 的发光效率。 关键词： 发光二极管 ITO 薄膜 电子束蒸发 热处理 万方数据 2 透明导电氧化物薄膜在四元LED 上的应用研究 万方数据 Abstract 3 Abstract LED(Lighting Emitting Diode) has become one of the most growth potential new generation lighting source of 21st century, owing to its low energy consumption, long life, green environmental protection.As the development of fabricating tech of III-V compound semiconductor devices, the research of LED chips tends to high effect and high brightness. The application of current extension layer can significantly improve LED external quantum efficiency.It has been an important method to improve the performance of LED devices. Based on AlGalnP-based LED, this thesis studied the application of ITO film as the current expansion layer in the LED. Through experiment and analysis, this thesis has studied the affect