第六章 电子显微术.pptVIP

第六章 扫描电子显微书 第一节结构原理 第二节分辨率和放大倍数 第三节 电子束与试样相互作用激发的各种信号及工作方式 第四节 形貌象解释 第五节 晶体学分析 一、发射方式------二次电子 二次电子能量大致在0~30eV之间，多数来自表面层下部5~50?深度之间。二次电子信号对试样表面状态非常敏感。 二、反射方式------被反射电子 能量与入射电子能量相当，来自表面层几个微米的深度范围。被反射电子信号可以显示表面形貌，还可以显示元素分布。 三、吸收方式------吸收电子 吸收电子成像衬度与二次电子、被反射电子像衬度相反，可以显示元素分布和表面形貌，尤其是裂缝内部微观形貌。 四、透射方式------透射电子 透射电子中既有弹性散射电子也有非弹性散射电子。其能量大小取决于试样的性质和厚度。可以显示成分分布。 五、俄歇电子方式------俄歇电子 能量极低，具有元素的特征能量，适合于做表层成分分析。 六、X射线方式------特征X射线 高能入射电子轰击固体试样，就好像一只X射线管，试样是其中的靶。特征X射线的波长因试样元素不同而不同，其相对强度与元素含量有关。 七、阴极发光方式------可见光 有些物质在高能电子束轰击下会发光，发光波长与杂质原子和基体物质有关。对发光光谱做波长分析，可以鉴别出基体 物质和所含的杂质。用光电倍增管接收、成像就可以显示杂质及晶体缺陷分布情况。 八、感应信号方式------感应电信号 半导体和绝缘体在高速电子束的轰击下会在其中产生空穴-电子对，感应信号就是以此作信号的一种工作方式。这种方式可以显示半导体、绝缘体的表面形貌、晶体缺陷、微等离子体和p-n结。 100 10,000 1 Energy of Electron (eV) Quantity of Electrons (Incident beam energy : 10,000eV) Energy spectrum of the electrons emitted from a specimen Secondary Electrons Backscattered Electrons Scanning(Y) Scanning (X) l Scanning Electron Probe S E M Specimen Scanning Electron Beam of CRT L Pixel C R T Magnification :( M)=L / l Magnifying mechanism in the SEM 二次电子产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角?，也就是说，如果试样表面是凸凹不平的话，法线与入射束夹角?大的面发射的二次电子多，反之则少。 其二是二次电子的实际收得率是呈角分布的。探测器愈是垂直于试样表面，所收集到的二次电子数也就愈多。 (a) ?=0° 50? R r1 (b) ?=45° 50? R r2 ? ? 50? R r3 (c) ?=65° r3＞r2＞r1 入射电子在试样表层下50?深度内所经路程随面法线间夹角?的变化 90° 90° 60° 30° 0° 30° 60° 试样 0 20 40 60 80 2 4 6 8 10 接收的二次电子 ? 二次电子收得数角分布曲线 二次电子收得数与入射束-试样面法线间夹角分布曲线 Theory of Scanning Electron Microscope Comparison of objective movable aperture hole size Focus Depth → Deep Focus Depth → Shallow Aperture Size : Small Aperture Size : Large Specimen : Si on Photo Resist Pattern Theory of Scanning Electron Microscope After correction Before correction Under focus Just focus Over focus Just focus Astigmatism correction method Specimen:Trachea of rat Theory of Scanning Electron Microscope W filament SEM Out lens FE-SEM Snorkel lens FE-SEM In-Lens FE-SEM 0.5 1.0 10 30 0.5 1.0 10 20 Acc.