第14章--二极管和晶体管.pptVIP

模电特点： 技术术语多 基本概念多 电路种类多 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 二极管 常见的外形： 14.3 二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 复习： 半导体的导电特性：热敏性 、光敏性、掺杂性 二极管伏安特性 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 4.稳压电路 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 本征半导体的特点： 导电能力很弱（T=0K时，不导电 T （T=300K），本征激发， 产生空穴电子对 温度愈高，本征激发越严重 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 温度一定，载流子的数目（浓度）一定。 温度对半导体器件性能影响很大。 在N 型半导体中：自由电子是多子，由掺杂原子提供。 空穴是少子（本征激发形成）。 在 P 型半导体中：空穴是多子，自由电子是少子。 PN结： 单向导电性 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 符号 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，由于它与适当阻值的电阻配合后能起稳压作用，故称稳压二极管。 稳压二极管工作于反向击穿状态，当反向电压撤去后，管子还是正常的，称可逆性击穿。 + — UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 U I O (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 Ui=UR+UO=UR+UZ=IRR+UZ 若Ui增加，则UO有增加的趋势，即UZ会增加，IZ会大大增加，使IRR大大增加，则限制了UO的增加，维持不变，反之亦然。 若负载增加，其稳压原理一样。 UO Ui IZ R DZ UZ IR 例：右图所示电路，UZ=8V，IZM=18mA，US=20V， 问R=500Ω是否合适，应为多少？ 解：I= =24mA＞18mA 不适合。 R≥ =667Ω R US-UZ = 20-8 500 20-8 18 US=20V R UZ=8V 晶体管又称半导体三极管，是一种重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用引起了电子技术的飞跃发展。 晶体管的结构，目前常见的有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 而从制造型号上，常分为NPN型和PNP型。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最