半导体器件绪论.pptVIP

半导体器件物理 半导体器件原理Theory of Semiconductor Devices MOS device CMOS Technology for 25 nm Channel Length CMOS Technology for 25 nm Channel Length Chandrasakan lab UWB project chips Chandrasakan lab UWB project chips Original Motivation:Moore’s Law “摩尔定律”：处理器(CPU)的功能和复杂性每年(其后期减慢为18个月)会增加一倍，而成本却成比例地递减。在技术上，摩尔定律依然勇往直前 Building Blocks for Nanoelectronics CNT FETs Traditional approach: On-Site Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes Integrated Nanotube Systems:Complementary Carbon Nanotube Inverter Si Nanowires as DNA sensors 按比例缩小的主要挑战 超大尺寸晶片的不断增大 亚100nm分辨率的光刻系统 超小尺寸的逻辑存贮器件 多级互连的寄生RC延迟 微电子产业的高额投资 微电子小型化的极限 ? 固体的最小尺寸 ? 功耗限制 ? 电压或电流感应击穿的限制 ? 噪声限制 ? Heisenberg不确定原理的限制 解决途径 新材料：非晶硅，多晶硅，SiGe，Ⅲ-Ⅴ族复合半导体，有机材料，宽禁带半导体（SiC、GaN） 新结构器件 新互连方法：铜连线、低K，光连接等。 深亚微米尺度下器件和电路设计CAD工具 新电路 新电源：板上太阳能，生物电，空间微波等 纳米技术 3D电路 小结 总结与展望： 双极型晶体管 化合物半导体器件 MOSFET 功率器件 量子器件 光电子器件 内容：课程章节 本课是一门重要的专业基础课 了解半导体器件的工作原理，物理概念和器件特性。 掌握研究半导体器件工作原理和器件特性的基本方法，为从事半导体器件的研制和应用打下基础。 课程章节 前 言 半导体器件进展 第一章： 半导体物理基础 半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、载流子输运现象、非本征载流子及光学性质。 第二章： p-n结 热平衡下的pn结，耗尽区（耗尽层）和耗尽层电容，直流特性，pn结的瞬态特性，结击穿，异质结与高低结。 第三章： 双极型晶体管 基本原理，静态特性，频率响应和开关特性，异质结晶体管HBT、可控硅器件。 课程章节 第四章： 单极型器件 金半接触，肖特基势垒二极管，结型场效应晶体管，肖特基栅场效应晶体管，异质结MESFET。 第五章： MOS器件（MOSFET） MOS结构及MOS二极管，MOS场效应晶体管MOSFET，CMOS器件,电荷耦合器件。 第六章：新型器件介绍 微波器件，隧道二极管，共振隧穿二极管RTD，碰撞电离雪崩二极管IMPATT，转移电子器件。 光电子器件，发光二极管，半导体激光器，光电探测器，太阳能电池，量子阱激光器。 基础：半导体物理基本概念、p－n结、结型场效应晶体管。 重点：双极型晶体管、化合物半导体器件、MOS器件。 教材及主要参考书 教材： 《半导体器件物理》 孟庆巨 刘海波 孟庆辉编著，科学出版社，2005年 《半导体器件物理基础》曾树荣编著，北京大学出版社，2007年 参考书： ? S. M.Sze,Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed, Wiley, 1981 《半导体器件物理》S.M.Sze著，黄振岗译，北京电子工业出版社，1989年 《半导体器件物理》刘树林、张华曹、柴常春，电子工业出版社，2005 《半导体器件基础》Robert F. Pierret著，黄如等译，电子工业出版社，2004 《半导体器件物理与工艺》 S.M.Sze著，王阳元译，北京科学出版社，1992年 《晶体管原理》 刘永、张福海著，北京国防工业出版社。 《半导体器件：电力、敏感、光子微波器件》刘刚、岳辉著，北京科学出版社。 《半导体物理学》 刘恩科、朱秉升、罗晋生等，国防工业出版社 1997。 Si SiO2 PMMA Catalyst CH4 nanotube Catalyst island 900 oC metal electrode H. Dai, et al, Nature 395, 878 (1998). Infrastructure: Nanotube CVD Generation I