毕业设计（论文）《TiO2纳米管制备、性能及其微滤膜分离研究》.doc

浙江工业大学硕士学位论文 文献综述 背景介绍 据统计，全世界约有七亿人口处于缺水状态，每年有数百万人死于水疾病，而我国大约有30%左右的人口面临严重缺水，七亿左右人口引用大肠杆菌超标水，而且这些数据每年仍在持续增长。造成这种现象的原因主要是由于社会工业化的不断发展和人口的快速增长，一方面使得对自然资源的需求加大，另一方面也造成自然环境恶劣速度加快。其中水环境中的水污染现象尤其严重，城市污水、有毒有害的工业废水和农药废水是主要污染物，且排放量大、化学成分复杂、难以降解、污染严重，已经严重威胁到人类的生存环境与社会发展。水环境保护问题已成为目前人类社会广泛关注研究的一个问题，因此，寻求一种低成本高效率且安全稳定的废水处理技术是当务之急。 在过去的几十年里，废水处理主要是采用传统的物化法如吸附法、生物法、絮凝和离子交换等，这些方法常常存在处理效率不高、降解不彻底、二次污染严重、成本高等不足，在处理大量工业废水方面已显得力不从心。目前，探求一种高效低耗、适用范围广、无二次污染的废水处理技术是当前环保工作者的研究重点。 近年来，高级氧化技术（Advanced Oxidation Process，简称AOP）作为一种新型的水处理技术得到了极大的发展，主要是以羟基自由基为氧化剂与有机物反应，将污染物最终氧化降解为CO2和H2O。该技术克服了目前常规水处理法中存在的一些问题，以其独特的优势成为目前学者广泛关注研究的废水处理新技术。其中，光催化氧化技术是目前研究较广泛的一种高级氧化技术，与传统的水处理方法相比，光催化氧化法具有以下优点[1]：（1）反应条件温和，常温常压下即可操作；（2）降解彻底，中间产物和最终产物无二次污染；（3）处理低成本。因此，这为我们提供了一种治理环境污染较为理想的方法。近三十年来，光催化技术在环境净化方面的应用迅速发展，半导体光催化已成为目前国际上最活跃的研究领域之一[2,3]。在众多半导体光催化材料中，TiO2光催化剂以化学性质稳定，催化活性及重复利用率高等优点，成为研究最广泛应用前景最高的一种新型光催化剂[4,5]。 TiO2光催化技术介绍 半导体光催化技术 1972年日本学者Honda和Fujishima[6]发现了TiO2半导体电极催化分解水产生H2，之后Car y等[7]报道了紫外光下以TiO2为光催化剂能使多氯联苯发生脱氯反应。自此开辟了半导体光催化这一新的领域，引起了国内外学者的广泛关注，凭借催化效率高、降解彻底、安全无毒等优点，其应用领域已遍及污水处理、空气净化、杀菌防雾、氧传感器等[8,9]。 光催化是以n型半导体能带理论为基础，将n型半导体作敏化剂的一种光敏氧化法，催化剂大多为金属的氧化物或硫化物。而半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质，常见的半导体材料主要有TiO2[10]、Fe2O3[11]、CdS[12]、WO3[13]、ZnO[14]等。 图1-1各种半导体在pH=0时的水性电解液的禁带宽度 TiO2光催化机理 与金属材料不同，半导体材料的能带是不连续的。基于半导体的能带理论[15]，半导体是由一个底部充满电子的低能价带（valent band，VB）和顶部空的高能导带（conduction band，CB）组成的能量空域，它们之间的带隙称为禁带，一般半导体的禁带宽度（Eg）小于3.0 eV。TiO2的禁带宽度为3.2 eV（锐钛矿）和3.0 eV（金红石型），由公式： （1-1） 可以计算得出其最大吸收波长。 根据图1-1半导体光催化示意图所示，当用能量大于或等于带隙能（Eg）的光照射时，电子（e-）从半导体价带上被激发跃迁到导带，并且在价带相应的产生光生空穴（h+），于是在半导体内部形成了离散的电子空穴对，并且向催化剂表面迁移，电子可以作为还原剂，空穴则具有较高的氧化电势，具有强氧化性。迁移至表面的电子空穴对将分别与电子受体（O2）和供给电子（H2O）反应而形成具有强氧化性的活性氧自由基，随后与被吸附在催化剂表面的有机物和活性基团发生氧化还原反应，从而将污染物氧化降解为CO2和H2O（如图1-1所示）。 hv对于TiO2光催化剂来说，根据公式（1-1）可以知道，锐钛矿TiO2的最大吸收波长为387 nm，当用波长小于或等于387 nm的能量照射TiO2光催化剂后，价带上的电子被激发跃迁到导带上，形成电子空穴对，根据上述论证，最终光催化产生羟基自由基（·OH），主要反应如下[16, 17]： hv TiO2 e- + h+ （1-2） h+ + H2O H+ + ·OH