石墨烯行业分析报告.docVIP

2015年石墨烯行业分析报告 ??? 石墨烯在2004年首次在实验室被获得，此后以“新材料之王”、“硅时代的颠覆者”等光环为人所知，然而其在制备工艺和工业化道路上，依旧面临成本较高、良率较低、品质不稳定等问题。 ??? 一、石墨烯定义 石墨烯（Graphene）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，是只有一个碳原子厚度的二维材料。 ???石墨烯可以看做是单质碳材料的基元，富勒烯和碳纳米管都可以看成是由单层的石墨烯依照某种方式卷成的，而石墨正是由很多层石墨烯堆叠而成。 ???石墨烯过去一直被认为是假设性的结构，无法单独稳定存在。 ???直到2004年，英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·盖姆（Andre Geim）和康斯坦丁·诺沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）以简单的胶带机械剥离的方法获得了石墨烯，并在理论方面取得了巨大成果，二人因此共同获得了2010年诺贝尔物理学奖。 ??? 单层石墨烯仅有一个原子的厚度，为0.335纳米，1毫米的石墨大约包含300万层的石墨烯，是目前已知的最薄的一种材料。 ???国内对于石墨烯材料的定义标准为：碳原子层在1-10层的石墨烯及相关衍生物统称石墨烯材料，超过10层归属于石墨范畴。 ???之所以以此定义是因为碳原子层在1-10层的材料还能保留一部分石墨烯的特殊性能，而10层以上的材料几乎丧失石墨烯的高性能，而更趋于石墨。 ??? 1、最强性能 石墨烯是人类已知的最薄、最坚硬的纳米材料；在纳米级别上，强度是钢铁的20倍，但同时具有20%拉伸不断裂的柔性；它几乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；导热系数高达5300W/m·K，高于碳纳米管和金刚石，常温下其电子迁移率超过15000 cm2/V·s，高于纳米碳管或硅晶体高，而电阻率只约10-8 Ω·m，比铜或银更低，为世上电阻率最小的材料。 ???其优于金属单体和半导体的高导电性使其能够成为极好的导电材料；高导热性使得石墨烯薄膜能够作为热界面材料使用；除此之外，石墨烯的高透光性、高比容量、高比表面积和高致密性使其成为触摸屏、锂电池负极材料、超级电容、太阳能电池和渗透膜等的理想材料。 ??? 除了上述卓越的常规性能外，石墨烯在特定条件下还会展现特殊性能，对于自旋电子学、超速计算机、大规模IC等领域都具有重要意义。 ???但需要注意的是，石墨烯的大部分高强性能是基于纳米级层面的测算，由于片状堆积或结晶缺陷将会使石墨烯失去大部分的性能，如何将微观级别的石墨烯组装成为宏观有序材料，并保持纳米级的性能，是其未来发展的关键。 ??? 2、制备方式 从最终的产品形貌来看，目前主要分为粉体和薄膜两种。 ???石墨烯粉体由1-10层不等的石墨烯微片构成，潜在的下游应用是导电添加剂、复合材料、散热导热、导电油墨、储能、海水淡化、防腐材料等；石墨烯薄膜是相对大尺寸的石墨烯单晶或多晶薄膜，主要适合用于触摸屏。 ???目前已知的制备石墨烯的方法有10种以上，最主流的有机械剥离、SiC热分解法、氧化石墨还原和CVD（化学气相沉淀法）4种。 ??? 石墨烯制备方法孰优孰劣，还要由具体的下游需求决定。 ???例如作为锂电池添加剂材料，产线未来可能面临工业级量产需求，那么生产1平米仅1毫克左右的单层石墨烯的CVD方法产量显然很难在吨级需求和成本上寻求平衡。 ???相对来说，机械剥离和外延生长法获得的石墨烯品质较高，但只适合实验室级别的小规模生产，氧化石墨还原法更适合于石墨烯粉体的量产，而化学气相沉积法更适合于石墨烯薄膜的大规模生产。 ??? 石墨烯制备目前仍普遍面临成本较高、良率较低、品质不稳定等问题。 ???不含缺陷和杂质的高品质石墨烯最早价格甚至高于黄金，经过了几年的发展，目前国内部分通过氧化石墨还原的方法可以将成本降至3-5元/克，然而得到产品以晶格缺陷较高、多层堆叠（通常为10层以下）的石墨烯粉体为主，只能保持石墨烯部分特性。 ??? 大尺寸石墨烯的制备和转移是目前的另一个难题。 ???CVD方法适合于获得大面积石墨烯，2012年前后，韩国三星泰科公司等制造了30英寸的石墨烯薄膜作为透明导电膜，而索尼利用卷对卷方式制造了长100m的石墨烯薄膜。 ???但实际上，这些薄膜是直径10n-100nm的微小石墨烯大量重叠形成的多晶，结晶方向也各不相同。 ???由于多晶材料晶粒之间的缺陷，导致石墨烯原有的很多出色特性无法发挥（如电导率降低），阻碍了石墨烯作为透明导电膜使用的进程。 ??? 单晶制备对电子和光子工业的发展至关重要，因此如何控制制备工艺、制造出毫米级以上尺寸的单晶石墨烯是一项重要的课题。 ???目前已有的尝试包括：德州大学奥斯汀分校Ruoff团队减少结晶核密度方法、生长12小时获得了直径1cm单晶石墨烯，如果生长到1m需要50天；日本九州