腐蚀与防护-全面腐蚀与局部腐蚀.pptVIP

Page ? * 缝蚀 点蚀 E/V I/mA 缝蚀比点腐蚀一般更易发生 与点蚀相比，对同一种金属而言，缝隙腐蚀更易发生，从环形阳极极化曲线上的特性电位来看，缝隙腐蚀的临界电位要比点蚀电位低，在Ebr～Erp区间，对点蚀来说，原有的点蚀可以发展，但不产生新的蚀孔，而缝隙腐蚀在该电位区内，蚀孔既能发生，也能发展。 Page ? * （1）合理设计和施工，避免缝隙，连接处密封、涂覆、妥善排流，清除沉积物。 （2）电化学保护 （3）缓蚀剂 （4）改善介质环境 （5）选择耐缝蚀合金 如：Ni16Cr16Mo5Fe4W2.5Co, 00Cr16Ni17Mo16Fe6W4 (哈氏合金)， 18Cr12Ni3MoTi，Cr28Mo4, Cr30 Mo3，18Cr19Ni3MoTi，18Cr12Ni2MoTi，Ti 合金等均为优良耐缝蚀合金。 5.4.5 防止缝隙腐蚀的措施 Page ? * 5.5 晶间腐蚀 5.5.1 晶间腐蚀的定义和特点 7075-T6铝合金飞机零件晶间腐蚀 敏化的304不锈钢/5%H2SO4/沸腾5min晶间腐蚀 Page ? * 晶间腐蚀是金属材料在特定的腐蚀介质中沿着材料的晶粒边界（晶界）产生的一种局部选择性腐蚀。 晶间腐蚀常常会转变为沿晶应力腐蚀开裂，成为应力腐蚀开裂的起源，因此，它是一种危害性很大的局部腐蚀。 一般金属材料都有晶间腐蚀倾向，不锈钢，Al，Ni，Cu合金等易发生晶间腐蚀。? 晶粒边界比晶粒本体腐蚀快得多，危害性大。晶间腐蚀在宏观上不易察觉，金属甚至保持光泽，但强度可完全消失。 Page ? * 一、金属学因素： （1） 晶界异相析出，元素贫乏区形成。如：不锈钢因形成 (Cr,Fe)23C6而导致贫Cr区；铜合金CuAl2，导致贫Cu； (2) 晶界析出易溶相。如Al3Mg2，Mg2Si等溶解，产生晶间腐蚀； （3）位错或空位在晶界积累，导致杂质或缺陷集中； （4）晶界应力较大； （5）多晶金属材料晶界活性较大，易于发生晶界吸附、晶界沉积等反应； （6）热加工处理过程在晶界新相生成。 5.5.2 晶间腐蚀的条件 Page ? * 二、电化学因素： 晶界与晶粒平衡电位差异，造成电化学腐蚀速度不一； 晶界与晶粒阳极极化率不一， 或腐蚀阻力不一； 介质中氧化剂在晶界和晶粒位置还原行为差异或腐蚀阻力不一。 Page ? * 5.5.3 晶间腐蚀机理 5.5.3.1 贫化理论 1.贫Cr理论(奥氏体,铁素体不锈钢 ) 2.贫Cu理论(Al-Cu，Al-Cu-Mg ) 3.贫Mo理论(Ni-Mo ) Page ? * 贫Cr理论 在敏化温度，过饱和C化合物 Cr23C6 在晶界析出，其周围形成贫Cr 区，因Cr在晶界扩散比在晶粒扩散速快，使晶界Cr很快耗尽(阳极)，与晶粒形成活化/ 钝化电偶电池，发生阳极选择性腐蚀，促使晶间腐蚀的发生。 Page ? * Page ? * 5.5.3.2 阳极相理论-晶界σ相析出并溶解 贫化理论不能解析全部现象，如：高Cr含Mo低C超低C不锈钢已不存在因碳化物析出引起贫铬的条件。 因此，又提出：σ相-FeCr或FeMo金属间化合物(四角形的结构) ，在一定条件下在晶界沉淀，? 相在过钝化电位可发生严重选择性溶解腐蚀。 该理论也可以解释Al-Zn-Mg高强度铝合金以及含镁量较高的Al-Mg合金，由于晶界析出强化相MgZn2或Mg5Al8而发生选择性溶解，导致晶间腐蚀的原因。 Page ? * γ和α阳极极化曲线 注意:过钝化电位下的不同 Page ? * Page ? * (a)台阶结构，固溶退火（500×），晶粒之间有台阶。 (b)双结构，敏化样品，晶界有凹槽，但没完全包围任一晶粒（250×）。 (c)凹槽结构，敏化样品，凹槽包围晶粒，（500×），一个或多个晶粒被凹槽完全包围。 草酸侵蚀试验结构（10%草酸，电流密度1.0amp/cm2，1.5min阳极侵蚀） Page ? * 5.5.3.3 吸附理论(杂质原子在晶界吸附) 晶界区杂质偏聚P＞100ppm，Si＞1000ppm，也会在强氧化性介质中发生选择性溶解，引起晶间腐蚀。 该理论认为，晶界的杂质优先发生腐蚀溶解，导致了晶间腐蚀。 这些理论相互补充，能解释较多晶间腐蚀现象。奥氏体不锈钢在氧化性介质（充气海水）、MgCl2(普遍，严重)、强氧化性介质－HNO3(浓)，Na2Cr2O7等容易发生晶间腐