第三章BJT晶体管.pptVIP

廖付友 阮雄飞 Homepage 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 取ICE0＝0，取 以及 则共发射极电流增益的倒数可以写成： 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 电流增益对集电结电流的依赖关系 在高电流时，电流增益下降，这是因为注入的少数载流子浓度与基区的多子浓度可比拟，致使发射极效率降低，结果在整个发射结电流中由基区向发射区注入的空穴电流增加，致使发射极效率降低，电流增益下降。 3.3.2 正向有源模式 三、共发射极电流增益 大电流下的增益计算式为3-3-28 大电流下的增益：增益反比于发射极电流。 3.4 埃伯斯-莫尔方程 用等效电路模型来描述BJT的电特性。 该模型由两个方程组成，称为E-M模型。 E-M方程适用于各种结构的BJT和BJT的各种工作模式。 3.4 埃伯斯-莫尔方程 3.4.1 埃伯斯－莫尔模型 电路模型：将NPN晶体管看做两个背靠背的互相有关联的二极管，这种关联是指一个二极管正向电流的大部分流入另一个反向偏置的二极管中。 3.4 埃伯斯-莫尔方程 (a) 图3-13 Ebers-Moll 模型 （a）NPN一维晶体管，（b）将晶体管表示为有公共区域的背靠背连接的二极管，（c）Ebers-Moll 模型等效电路 叫做正向共基极电流增益。 叫做反向共基极电流增益。 （c） 3.4 埃伯斯-莫尔方程 正向有源区：流过发射结的正向电流IF，大部分（ ）流入集电结 反向有源区：流过集电结的正向电流IR，大部分（ ）流入发射结 3.4 埃伯斯-莫尔方程 其中IF是发射结电压VE的函数，IR是集电结电压VC的函数。 和 分别称为正向和反向共基极电流增益 2个二极管的电流可分别表示为（IF0和IR0分别是发射结和集电极的PN结反向饱和电流） （3-4-1） （3-4-2） 3.4 埃伯斯-莫尔方程 则晶体管的端电流可表示为 从而得到EM模型的基本方程为（3-4-5和6） 3.4 埃伯斯-莫尔方程 下面分析方程中的四个参数与晶体管的结构参数和材料参数之间的关系。 将发射结空间电荷区的复合电流看做外部电流，则 对于xBLn的情形，得到（3-4-8） 类似的方法可以得到（3-4-10） 3.4 埃伯斯-莫尔方程 其中4个模型参数（IF0、IR0、 、 ）为： 由于两端口网络器件的互易性质，有a12 = a21，则 ，从而4个模型参数中只有3个是独立的。 3.4 埃伯斯-莫尔方程 3.4.2 工作模式和少子分布 (1)正向有源工作模式： ?0， ?0 基区少子满足的边界条件为 ， (2)反向有源工作模式： 0， 0 相应的边界条件为: , (3)饱和工作模式： ?0， ?0 相应的边界条件为: , (4) 截止工作模式: 0， 0 相应的边界条件为: 3.4 埃伯斯-莫尔方程 四种工作模式及相应的少子分布 此外， 0 正向有源 饱 和 截 止 反向有源 Company Logo Company Logo 第3章 双极结型晶体管 双极结型晶体管的基本工作原理 Contents 1 理想双极结型晶体管中的电流传输 2 埃伯斯-莫尔方程 3 缓变基区晶体管 4 5 双极结型晶体管的结构和制造工艺 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 3.1 双极结型晶体管的结构和制造工艺 1、由两个相距很近的PN结组成，基区宽度远远小于少子扩散长度。 2、发射区为重搀杂，发射结为P+N或者N+P，基区是两个PN结的公共端。 3、 双极晶体管的主要作用是对电流或者电压的放大。 晶体管与场效应晶体管的区别 晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件；而场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件。 由于场效应管的工作电流和电压都可以很小，且在工艺上易于集成，因此在大规模集成电路中占主导地位。 但是结型晶体管凭借功耗和性能方面的优势仍然广泛应用于高速计算机、火箭、卫星以及现代通信领域中。 3.2 双极结型晶体管的基本工作原理 双极晶体管有四种工作模式，相应地称为四个工作区 令 （1）正向有源模式： ?（2）