电气设备绝缘的试验技术应用.ppt

主要内容 电气设备进行绝缘试验的必要性 高压绝缘试验可分为四种类型 型式试验、出厂试验、安装后的交接验收试验以及运行中定期的预防性试验。 以上试验又可归结为两种试验类型 绝缘预防性试验的目的： 绝缘故障大多因内部存在缺陷而引起，通过测量电气特性的变化来发现隐藏着的缺陷。 3.1 绝缘参数的测量 3.2 工频高电压试验 3.3 直流高电压试验 3.4 冲击高电压试验 3.1 绝缘参数的测量 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 二、 介质损失角正切tgδ的测量 三、 局部放电的测量 四、 绝缘油的色谱分析 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 绝缘电阻 最基本的综合性特性参数。 组合绝缘和层式结构，在直流电压下均有明显得吸收现象，使外电路中有一个随时间而衰减的吸收电流。 吸收比 检验绝缘是否严重受潮或存在局部缺陷。通过测量绝缘电阻可获得吸收比. 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 开关S合闸作为时间的起点，在的极短时间内，层间电压按下式分布。 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 达到稳态时（t→∞）， 层间电压按电阻分配 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 流过夹层电流： 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 绝缘电阻指吸收电流按指数规律衰减完毕后测得的稳态电阻值，测量绝缘电阻可有效反应绝缘整体受潮、局部严重受潮或贯穿性缺陷等。 吸收比是同一试品在两个不同时刻的绝缘电阻的比值，所以排除了绝缘结构和体积尺寸的影响。 一般以K大于1.3作为设备绝缘状态良好的标准亦不尽合适，有些变压器的K虽大于1.3，但R值却很低；有些K小于1.3 ，但R值却很高。 所以应将R值和K值结合起来考虑，方能作出比较准确的判断。 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 大容量电气设备中，吸收现象延续很长时间，吸收比不能很好地反映绝缘的真实状态，用极化指数再判断。 绝缘电阻的测量 工程上常用兆欧表(摇表)进行测量，以加压60s后读数为试品的绝缘电阻。 兆欧表原理： 电源部分：兆欧表内装有直流电源，一般为手摇发电机。要求手摇速度为60转/分,内部再把交变电压整流为直流电压输出; 另一种是晶体管谐振式. 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 当电流I1流过电压线圈1时，有力矩M1作用在线圈1上。同样，I2流过电流线圈2时有力矩M2作用在线圈2上。M1、M2分别为 其中 、 随指针转动角度而变与气隙中磁通密度的分布有关。 平衡时 故 或 由 可得 即指针读数反映Rx的大小。 2500V的兆欧表，用于对额定电压为1000V以上的电气设备进行试验；对1000V及以下设备常用1000V兆欧表。 指针偏角与绝缘电阻关系： 一、 绝缘电阻和吸收比的测量 泄漏电流测量 泄漏电流 测量泄漏电流本质上也是测量绝缘电阻.只是所加直流试验电压(10kV)比测量绝缘电阻(2.5kV)时高得多。因此更能有效地发现一些尚未完全贯通的集中性缺陷。 二、介质损失角正切tgδ的测量 tgδ的测量一般使用交流高压电桥——平衡电桥和不平衡电桥两种。对大容量的试品如：电容器，长电缆也可用低功率因素瓦特表进行测量。 下面以西林电桥为例介绍tgδ的测量方法。 二、介质损失角正切tgδ的测量 1. tgδ的测量方法－西林电桥(QS1型) 二、介质损失角正切tgδ的测量 调节R3和C4，检流计的电流为0，电桥平衡，有： 二、介质损失角正切tgδ的测量 求得试品的等值电容Cx和等值电阻Rx 二、介质损失角正切tgδ的测量 2. QS1型西林电桥接线原理图 二、介质损失角正切tgδ的测量 3.电桥测量的影响因素 杂散电容电流； 杂散电导电流； 试品表面泄漏； 周围其它试品的影响； 外界电源对电桥的干扰； 解决方法：加设屏蔽；采用移相电源；采用倒相法 消除磁场干扰方法： 将电桥移到磁场干扰范围以外； 将检流计极性开关置于不同位置时调节电桥平衡测得试品介损和电容值再求平均值。 二、介质损失角正切tgδ的测量 温度 tgδ随温度的增高而增大。为便于比较，应将在各种温度下测得的值换算到20℃时的值。 试验电压 当绝缘存在故障时，tgδ值与电压非线性。 试品表面泄漏 测试前应清除绝缘表面的积污和水分，必要时还可以在绝缘表面上装设屏蔽极 试品电容量 对大容量的试品，只能发现整体分布性缺陷，用测量tgδ的方法来判断绝缘状态就不很灵敏了。 介质损耗角正切tgδ是绝缘品质的