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第六章：电子材料的光学性质;光生伏特效应：光照在半导体p-n结或金属—半导体接触面上时，会在p-n结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势；
p-n结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射p-n结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于p-n结上加一个正电压；
半导体内部产生电动势（光生电压）；如将p-n结短路，则会出现电流（光生电流）。;;;;光照时n区产生少子空穴，p区产生少子电子；
在内建电场的作用下，n区的空穴向p区运动，而p区的电子向n区运动，使p端电势升高，n端电势降低；
所以，光生电场由p端指向n端，使势垒降低，产生正向电流IF；
由于空穴向p区运动，所以在p-n结内部形成自n区向p区的光生电流IL;;;4.特性曲线;5.光电池的实际结构; 哈勃望远镜上两侧的光电池板将太阳能转变为电能为望远镜提供能源;硅太阳能电池;非晶???薄膜太阳能电池组件的制造采用薄膜工艺, 具有较多的优点,例如:沉积温度低、衬底材料价格较低廉,能够实现大面积沉积。
非晶硅的可见光吸收系数比单晶硅大,是单晶硅的40倍,1微米厚的非晶硅薄膜,可以吸引大约90%有用的太阳光能。
非晶硅太阳能电池的稳定性较差, 从而影响了它的迅速发展。 ;化合物太阳能电池 ;GaAs 化合物太阳能电池;太阳能
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