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介在路造程中常需要在晶上定出微尺寸的案些案主要的形成方式乃是藉由刻技微影後所生的光阻案忠地印至光阻下的材上以形成路的架因此刻技在半造程中有重要的地位而言所的刻技包含了材整面均移除及案性部份去除的技而其中大略可分式刻乾式刻技早期半程中所用的刻方式式刻即利用特定的化溶液待刻薄膜未被光阻覆的部分分解成可溶於此溶液的化合物後加以排除而到刻的目的式刻的行主要是藉由溶液待刻材的化反因此可藉由配取的化溶液得到所需的刻速率以及待刻材料光阻及下材良好的刻比然而著路中的元件尺寸越做越小由於化反有方向性因而式刻是等向
簡介
在積體電路製造過程中,常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案(Pattern),這些圖案主要的形成方式,乃是藉由蝕刻(Etching)技術,將微影(Micro-lithography)後所產生的光阻圖案忠實地轉印至光阻下的材質上,以形成積體電路的複雜架構。因此蝕刻技術在半導體製造過程中佔有極重要的地位。
廣義而言,所謂的蝕刻技術,包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部份去除的技術。而其中大略可分為濕式蝕刻(Wet Etching)與乾式蝕刻(Dry Etching)兩種技術。
早期半導體製程中所採用的蝕刻方式為濕式蝕刻,即利用特定的化學溶液將待蝕刻薄膜未被光阻覆蓋的部分分解,並轉成可溶於
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