基于国产THGEM低能电子二维位置探测器研究.pptVIP

基于国产THGEM低能电子二维位置探测器研究.ppt

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基于国产THGEM的低能电子二维位置探测器研究 颜嘉庆1,3,谢宇广1,2 1.核探测与核电子学国家重点实验室 2.高能物理研究所 3.南华大学 2014-8-14 十七届全国核电子学与核探测技术学术年会,甘肃,兰州 目录 引言 二维位置探测器结构 厚型气体电子倍增器(THGEM)的性能 3.1 测试方法 3.2 增益 3.3 能量分辨率 3.4 稳定性 探测器模拟优化 4.1 Geant4模拟 4.2 Garfield模拟结果 5. 结论 1.引言 600 200 70 um 2.二维位置探测器结构 3.厚型气体电子倍增器(THGEM)的性能 3.1测试方法 如上图所示的实验装置,用5.9keV 55Fe X射线源对双层THGEM进行测试。漂移 电场Edrift = 1kV/cm,传输电场Etran = 1kV/cm,感应电场Eind = 4kV/cm,输 出的信号经过前放、主放,再经过多道,最后连到电脑上 3.2增益 上图是在Ar+iC4H10=97:3和Ar + CO2=90:10两种工作气体中测得的单层和 双层高位置分辨THGEM的增益曲线。可以看出,这种THGEM的增益单 层最高达到1×104,双层最大增益好于6×104。 3.3能量分辨率 在Ar+iC4H10=97:3工作气体中,测得了双层THGEM的能量分辨约24%, 全能峰和逃逸峰,两峰位相差几乎为一倍。 3.4稳定性 用Ar+CO2=90:10工作气体,对双层THGEM进行连续100小时的增益稳定性测试。 如果以25小时之后的变化来看,则增益的变化在2000/15000=13.4%的水平。 4.探测器模拟优化 4.1Geant4模拟 上图是透射窗的厚度对电子的透射率和横向扩散半径的影响。 综合透过率、横向扩散,以及机械性能的考虑,将优先采用 50um的薄膜窗厚度。 上图是空气层厚度对电子的透射率和横向扩散半径的影响。 气体厚度影响横向扩散的同时还影响探测效率。显然3~5mm 的气体厚度是比较合理的选择,考虑到低气压工作,因此5mm 的气体厚度相对更好。 上图是0.5MeV的入射电子,经过50um厚的窗和5mm厚的空气层达到漂移极 下表面入射电子横向散射半径分布。阴影部分的面积表示入射电子横向扩散 半径小于等于 Rmean的电子个数占总电子数的比例,约为75.35%。因此,此 处用Rmean而不是Rmax来表征四分之三以上电子横向扩散的影响。 4.2 Garfield模拟结果 如图上图所示,雪崩后电离电子将扩散到半径约1~2mm的范围, 则对应约3个0.5mm间距的读出条宽度,或者9个同尺寸方形Pad的 区域,能够满足应用重心法求位置的基本要求。 5.结论 1.基于国产的孔径150um,孔间距400um,厚度100um的高位置分辨THGEM,将能够实现位置分辨≤200um的低能电子位置分布的探测。 2. THGEM本身在Ar+iC4H10=97:3和Ar+CO2 = 90:10中表现出良好的增益、增益稳定性和能量分辨。 3.利用Geant4模拟了二维位置探测器的透射窗和空气层对入射电子的影响。选择50um的薄膜窗厚度和5mm的气体厚度将比较合理。 4.用Garfield模拟了感应极雪崩电子横向扩散的情况,基本在3个读出条宽的范围。 5.将来可能会用已经研制出D=100um,P=300um,T=100um的激光打孔THGEM代替机械打孔的THGEM。 6.下一步将利用ASIC电子学对探测器的空间分辨进行实际测试。 Thank you for your attention !

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