石英晶体谐振器单片晶体滤波器石英晶体振荡器声表面波谐振器及声表面波滤波器等系列产品.docVIP

石英晶体谐振器单片晶体滤波器石英晶体振荡器声表面波谐振器及声表面波滤波器等系列产品 Item Application Notes 石英晶体 当对晶体的表面施加一外力时，它会产生电压；相反地，当对晶体表面施加一电压时，机械形变振动就会产生。这些振动的频率取决于晶体的设计和振荡器电路，也称为石英晶体谐振器。它们因其高Q值，高稳定性和体积小的高度结合而被广泛地应用于频率控制领域。它们由石英晶体合适的安装，封装和空白电极组成。频率范围由几百赫兹到几兆赫兹不等。 晶体振荡器 这种晶体振荡器拥有较强的频率稳定性。它最适用于钟表和数字设备。时钟振荡器被广泛地应用于无线电设备，电子器械和住房设施等产品。 S.P X.O (简易包装晶体振荡器) 频率和温度之间的特性是应用中晶体振荡器的温度特性（AT 切振荡器的三维曲线图被用于大多数案例中）和振荡电路的温度特性(这个特性是可以被看成接近直线)的总量，因而表现为一个三维曲线图。为了提高频率和温度之间的整体特性，温补电容常用于平衡电路中温度特性的偏差，如图1所示。 如上所述，简易封装型晶体振荡器覆盖的温度范围从±5×10–6到±1000×10–6 。 这些振荡器主要用于微型通讯工具，广播设施和测量仪器等的基准振荡器。 T.C.X.O(温补晶体振荡器) 晶体振荡器的温度特性主要取决于晶体谐振器，一般显示三维曲线（AT切）为了确保满足温度的特性，有必要保持晶体周围的温度与工作温度一致或用一个恒温箱。 温补振荡器设计的满足的温度范围包含了一个非常广的范围，并与温补电路联合使用。以上所说的条件要被考虑在内。 温补振荡器有两种。一种是与电阻或电容联合使用，用电热调节器作为热敏设备。另一种就是由温补电路连接到LSI电路上来做为热敏设备。至于大规模的温补电路，所有的震荡电路都集中到一块芯片上。尽管是取决于补偿电路和特定温度范围的结合，但是温度特性在三维到五维曲线图上得以显示(见图二)。 这些晶体振荡器在很短的时间内消耗更少的电。这些振荡器用在多种通讯设备上（移动电话，全球定位系统，陆上无线电，微波通信设备和卫星通信系统），也被用于测量仪器的参考振荡，如频率计数器，合成器等。 V.C.X.O(压控晶体振荡器) 压控晶体振荡器通过插入可变电容二极管串联到晶体上而产生的电压，来改变二极管电容，以此获得可变频率与施压的可变电容二极管晶体的负载电容特性相符，同时，晶体电容的特性和振荡频率的结合必须考虑到。因此，大范围的频率变化和直线性频率都是可以实现的频率波段包括的范围从0.6 到 670MHz 。 晶体振荡器的温度特性同简易包装振荡器（SPXOS）是相同的。温度特性的总和相当于晶体的.f/f (×10–6) ，从三维曲线中可看出振荡电路的温度特性。这种振荡器主要用于传输机、交换机、PLLS，调频机，扫频仪等。 O.C.X.O (恒温晶体振荡器) 恒温晶体振荡器将维持晶体的周围温度。恒温烘炉，提供优于其他振荡器的温度特性。 AT切的晶体振荡器的温度特性参考三维曲线中所示烘炉中温度由零度系数到高温度，这个温度是由振荡器在烘炉中的位置和恒温烘炉的温度特性来决定的。 另外，工作温度范围的底限是由耗电量的最大值来决定的，最高限则是由恒温烘炉的温度设置和电路中的热能及电量的损耗来决定的。 此所介绍的温晶体振荡器通常被称作是高稳定性晶体振荡器。为了达到高频率的稳定性，晶体频率范围要控制在4~~70 MHz之间。高稳定性的晶体振荡器的频率高延伸到200 MHz，它是在商业基础上递增生产的。 石英振荡器主要用于在完善的环境下用高技术开发和生产的振荡器上。利用这些卓越的晶体可以生产带有以下特性的晶体振荡器，如频率老化特性，短期稳定性，频率重复性，相位噪音和温度特性。恒温晶体振荡器最适合用于各种移动通信设备和各种电力测量仪器如频率计数器，光谱分析器等等。 V.C.T.C.X.O(压控温补振荡器) 优良的温度特性，低电能损耗，轻重量，紧密，速热，这些完美特性理想化地适用于诸多通讯设备，如手提电话，双频设备，无绳电话，微波通讯设备，卫星通讯，测量仪器和其他应用等。 M.C.F(单片晶体滤波器) 单片晶体滤波器成为晶体滤波器应用最广泛的形式。他的主要优势在于其微小的设计，从而取代了大型号的电子元件。这是由两个或更多个谐振器连接到石英空白处来实现的。每一个谐振器是由一对电极接到石英空白的反方向上而组成的。尺寸，形状和电极以及空白的厚度间隔决定了滤波器的电极效能。单片晶体滤波器在窄通带内实现了理想的低插入损耗通带滤波器的特性。除此之外还有较好的电容性、温度以及老化率。 它被广泛地应用于移动无线电通讯，汽车电话，无线电话，寻呼机和测量设备等领域。 中频滤波器 任何现代的接收系统的最重要的组成部分之一就是带宽限制成分。通常，带通滤波器是