第09讲 场效应管及其放大电路.pptVIP

第九讲 场效应管及其放大电路 1.4场效应管（FET） 三极管由于良好的放大性能得到了广泛的应用,但它有较严重的缺点: (1)必须有输入电流才能产生输出信号。 (2)由于各区的存储电荷的存在,影响到快速性,在高频信号作用下受局限. 而场效应管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件 。它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 其控制端基本不需要电流,这样可大大降低电路的功耗,节省能源,此外它本身没有存储电荷,适用高频情况. 根据结构不同,场效应管可分为结型和绝缘栅型,从制造工艺来看绝缘栅型场效应管易于高度集成化而被广泛应用,所以我们主要学习绝缘栅型场效应管。 1.4.1结型场效应管（以N沟道为例） 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 转移特性 输出特性 1.4.2绝缘栅型场效应管 一、分类 绝缘栅型场效应管中目前常用的是MOS管,根据导电沟道不同,它又分为NMOS(N沟)PMOS(P沟道),根据工作特性又分为增强型和耗尽型 。 N沟道—增强型—场效应管（MOS管） N沟道—耗尽型—场效应管 P沟道—增强型—场效应管 P沟道—增强型—场效应管 二、N沟道增强型MOS管 1、结构 源极：S 栅极：g 漏极：d P衬底：B（多子为空穴） 符号： 2、绝缘栅型场效应管工作原理 增强型MOS管uDS对iD的影响 3、N沟道增强型MOS管的特性曲线 a、转移特性：输出电流iD与控制电压UGS的关系。 三、MOS管的主要参数（50页） 1、直流参数 开启电压：UGS(th)，在UDS一定时，使iD大于零所需的最小UGS值。 2、交流参数 低频跨导：gm， gm的大小表示UGS对iD控制作用的强弱。（ gm=△ iD/ △ UGS∣UDS=常数。） 3、极限参数 最大漏极电流：IDM， IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。 击穿电压：U（BR）DS，管子进入恒流区后，使iD骤然增大的UDS称为漏-源击穿电压。UDS超过此值会使管子烧坏。 最大耗散功率：PDM，（ PDM= IDM* U（BR）DS） 四 、场效应管的分类(总结)工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 五、MOS管与三极管的比较（47页） [例1.4.2] 已知如图，试求UI为0、8、10V时，输出电压UO的值。 解：UI=0V时，管子处于夹断区，Id=0mA, ∴UO=UDD-Id*Rd=15V。 UI=8V时，管子处于恒流区(UGS(th)=4V)，Id=1mA, ∴UO=UDD-Id*Rd=（15-1*5）V=10V。 UI=10V时，认为管子处于恒流区，Id≈2.2mA， ∴UO= UDD-Id*Rd=（15-2.2*5）V=4V； 但由特性曲线知，恒流区中UO=UDS最小约为6V， ∴UI=10V时管子处于可变电阻区，可变电阻值RDS=UDS/Id=6/2=3K, ∴UO=UDD*(RDS/RDS+Rd)=15*(3/3+5) ≈5.6V. 结束！！！ 二、场效应管静态工作点的设置方法 1、基本共源放大电路 2、自给偏压电路 3、分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 1、场效应管的交流等效模型 2、基本共源放大电路的动态分析 3、基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 四、复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论一判断下列各图是否能组成复合管 讨论二 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c； 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uDS＜UGS（off） 为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用？ g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的