测控技术II单片机器件扩展P7.ppt

ME.SJTU 3. 使用多片EPROM的扩展电路 扩展4片27128。 ME.SJTU 静态数据存储器的扩展 常用的静态RAM（SRAM）芯片 典型型号有:6116、6264、62128、62256。+5V电源供电，双列直插，6116为24引脚封装，6264、62128、62256为28引脚封装。 各引脚功能如下: A0～A14：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE*： 片选信号输入。对于6264芯片，当CS为高电平,且CE* 为低电平时才选中该片。 OE*： 读选通信号输入线。 WE*： 写允许信号输入线，低电平有效。 Vcc： 工作电源+5V GND： 地 有读出、写入、维持三种工作方式。 ME.SJTU ME.SJTU ME.SJTU EPROM和RAM的综合扩展 综合扩展的硬件接口电路 例 采用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM, RAM选6264，EPROM选2764。 ME.SJTU IC2和IC4占用地址空间为2000H～3FFFH共8KB。同理IC1、IC3地址范围4000H～5FFFH（P2.6=1、P2.5=0、P2.7=0）。线选法地址不连续，地址空间利用不充分。 例 采用译码器法扩展2片8KB EPROM，2片8KB RAM。EPROM选用2764，RAM选用6264。共扩展4片芯片。 可见译码法进行地址分配，各芯片地址空间是连续的。 ME.SJTU 外扩存储器电路的工作原理及软件设计 1. 单片机片外程序区读指令过程 2. 单片机片外数据区读写数据过程 例如，把片外1000H单元的数送到片内RAM 50H单元，程序如下： MOV DPTR，#1000H MOVX A，@DPTR MOV 50H，A 例如，把片内50H单元的数据送到片外1000H单元中，程序如下： MOV A,50H MOV DPTR,#1000H MOVX @DPTR,A ME.SJTU MCS-51单片机读写片外数据存储器中的内容，除用MOVX A,@DPTR和MOVX @DPTR,A外，还可使用MOVX A,@Ri和MOVX @Ri,A。这时通过P0口输出Ri中的内容（低8位地址），而把P2口原有的内容作为高8位地址输出。 ME.SJTU E2PROM的扩展 保留信息长达20年，不存在日光下信息缓慢丢失的问题。 常用的E2PROM芯片 在芯片的引脚设计上， 2KB的E2PROM 2816与EPROM 2716和RAM 6116兼容 8KB的E2PROM 2864A与EPROM 2764和RAM 6264兼容2816、2817和2864A的读出时间均为250ns，写入时间10ms。 ME.SJTU MCS-51扩展E2PROM的方法 1.MCS-51外扩2817A 2817A既可作为外部的数据存储器，又可作为程序存储器。通过P1.0查询2817A的RDY/BUSY*状态，来完成对2817A的写操作。片选信号由P2.7提供。 ME.SJTU 2.MCS-51外扩2864A 片选端与P2.7连接，P2.7=0才选中2864A，线选法决定了2864A对应多组地址空间，即: 0000H～1FFFH 2000H～3FFFH 4000H～5FFFH 6000H～7FFFH 2864A可作为RAM使用，但掉电后数据不丢失。 ME.SJTU ME.SJTU ATMEL89C51/89C55单片机的片内闪烁存储器 AT89C51/89C52/89C55是低功耗、高性能的片内含有4KB/8KB/20KB闪烁可编程/擦除只读存储器芯片。 89C51的主要性能 （1）与MCS-51微控制器系列产品兼容。 （2）片内有4KB可在线重复编程的闪烁存储器 （3）存储器可循环写入/擦除1万次。 （4）存储器数据保存时间为10年。 （5）宽工作电压范围：Vcc可为+2.7～6V。 （6）全静态工作：可从0Hz～16MHz。 （7）程序存储器具有3级加密保护。 （8）空闲状态维持低功耗、掉电状态保存存储器内容。 ME.SJTU 2. 片内闪烁存储器 E2PROM具有在线改写，掉电后仍能保存数据的特点，可为用户的特殊应用提供便利。但是，擦除和写入对于要有数据高速吞吐的应用还显得时间过长，这是E2PROM的主要缺陷。 通常：字节擦除时间和写入时间10ms。 ME.SJTU 测控技术II ME.SJTU 概述 片内的资源如不满足需要，需外扩存储器和I/O功能部件。 系统扩展主要内容有： (1)外部存储器的扩展（外部RA