二极管及基本电路 .pptVIP

3 半导体二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的单向导电性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 1、二极管电路的分析概述 分析思路 分析任务：求vD、iD 目的1: 确定电路功能，即信号vI传递到vO ，有何变化？ 目的2: 判断二极管D是否安全。 首先，判断D的状态？ 若D反向截止，则相当于开路（ iD ?0，ROFF ? ∞ ）； 若D正向导通，则？ 正向导通分析方法： 图解法 等效电路（模型）法 —— 将非线性 ? 线性 先静态（直流），后动态（交流） 静态： vI =0（正弦波过0点） 动态： vI ?0 2、二极管状态判断 3、图解分析法 4、等效电路（模型）分析法 5、应用电路分析举例 分析方法小结 3.5 特殊二极管 例1: 2CP1（硅），IF=16mA，VBR=40V。求VD、ID。 (a) (b) (c) (d) 正偏 正偏 反偏 反偏 iD IF ？ D反向截止 ID = 0 VD = -10V D反向击穿 iD = ？ vD = ？ 普通：热击穿－损坏 齐纳：电击穿 VD = - VBR= -40V D正向导通？ D正向导通！ 例2.4.2（习题2.4.12） 习题2.4.5 整流 限幅 习题2.4.6 例2.4.2（习题2.4.12） 5、应用电路分析举例 例6: 画出vO波形。 初步分析——依据二极管的单向导电性 D导通：vO = vI - vD D截止：vO = 0 D导通：vO = vD D截止：vO = vI 左图 中图 VI = 10V， vi = 1Vsin?t 例4:已知伏安特性,求vD、iD。 5、应用电路分析举例 iD=ID+DiD = 0.95mA+0.1mAsin?t vD=VD+DvD ?0.7V 静态分析 vi=0 叠加原理 动态分析 VI=0 小信号模型(小信号等效电路) 3.4 二极管基本电路及其分析方法 假设D截止（开路） 求D两端开路电压 VD ? 0.7V D正向导通 - VBR VD ? 0.7V D反向截止 ID = 0 (开路) VD ? - VBR D反向击穿 VD = - VBR (恒压) VD = 0.7V (恒压降) 状态 等效电路 条件 将不同状态的等效电路（模型）带入原电路中，分析vI和vO 的关系 画出电压波形和电压传输特性 特殊情况：求?vD（波动） 小信号模型和叠加原理 恒压降模型 * * 3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管(自学) 3.2 PN结的形成及特性 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 半导体:导电特性介于导体和绝缘体之间 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电的 重要特点 1、其能力容易受环境因素影响 （温度、光照等） 2、掺杂可以显著提高导电能力 3.1.2 半导体的共价键结构 原子结构 简化模型 — 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 3.1.3 本征半导体 在T=0K和无外界激发时，没有载流子，不导电 两个价电子的 共价键 正离子核 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 温度? 光照 自由电子 空穴 本征激发 空穴 ——共价键中的空位 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 由热激发或光照而产生 自由电子和空穴对。 温度? ? 载流子浓度? ＋ 空穴的移动 — 空穴的运动是靠相邻共价键中的 价电子依次充填空穴来实现的 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ 3.1.4 杂质半导体 N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷） P型半导体 掺入三价杂质元素（如硼） 自由电子 ＝ 多子 空穴 ＝ 少子 空穴 ＝ 多子 自由电子 ＝ 少子 由热激发形成 它主要由杂质原子提供 空间电荷 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.