超高真空离子天束溅镀机.docVIP

NCKU Micro-Nano Technology Center/Southern Region MEMS Center Page PAGE 21 PAGE 本文件及文件之內容屬國科會南區微系統研究中心所有，謹供列印閱讀，未經許可，請勿以任何形式翻製抄襲。 This document is the property of the NSC Southern Region MEMS Research Center. You are very welcome to browse and print out the document. It is extremely illegal to copy any part of this document in any forms without permission! Document Type Title Document No. Edition Editor Date SOP Ion Beam Sputter 12345-678 1 蔡名琨 2003/ 超高真空離子束濺鍍機 Ultra-High Vacuum Ion Beam Sputter 撰寫者：蔡名琨 部份修改：彭政展 2009/05/23 目錄 前言………………………………..…………….3 原理…………………………………………...…3 系統分類……………………………………...…7 配備介紹……………………………………...…9 操作面版介紹……………………………….…11 操作流程…………………………………….…17 注意事項…………………………………….…30 參考文獻……………………………….………32 前言： 所謂物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，簡稱PVD），是以物理現象來沉積的方式，最常使用的有蒸鍍(Evaporation)與濺鍍(Sputter)。蒸鍍最主要的原理是藉由對靶材(Target)加熱，使靶材在高溫（接近熔點）時所產生的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積(詳細內容可參看電子蒸鍍機的操作手冊)；然而濺鍍是利用電漿(plasma)中的離子，對有外加電極（Electrode）的靶材進行轟擊(Bombardment)，藉由將靶材上的原子或團簇(cluster)打出，使其沉積在欲沉積的基材(substrate)上，以產生薄膜。而超高真空離子濺鍍法(UHV IBS)便是屬於濺鍍的一種，以下會加以說明。 原理： 2-1介紹 超高真空離子束濺鍍法(UHV IBS)的濺鍍原理和薄膜成長機制與直流磁控濺鍍有許多相似的地方，不同處在於濺射過程中高能離子的來源不是用陰極輝光放電(Cathode Glow Discharge)，而是採用電子迴旋共振(Electron Cyclotron Resonance，簡稱ECR)。也就是說離子源乃是利用微波產生器(microwave generator)來形成的，利用產生的微波控制電場的大小，使電子產生迴旋共振放電(ECR)，以產生高能的離子束。且氣體分子之離子化及加速過程，皆在離子發射源中完成。如圖2-1[2]便是其示意圖。 圖2-1 離子束濺鍍裝置圖。[2] 2-2電子迴旋共振(ECR) 參考圖2-1，當微波通過一個介電層，進入到一個由外加螺形線圈所構成之磁場的腔體中，自由電子受到垂直於磁場方向之微波電場的加速，會繞著垂直於磁場之平面做旋轉。此種現象便稱為電子迴旋加速共振(ECR)，此即在離子槍中產生電漿之區域。 當腔體壓力夠低時，將有許多電子環繞著垂直於磁場之平面旋轉，在此過程，電子能量將提高且以螺旋形的旋轉方式向外擴張其迴轉加速半徑rc，直到電子碰撞到氣體分子或腔體壁為止。為了使電漿持續存在，電子必須具有足夠碰撞游離之能量，以平衡某些電子因往電漿外圍擴散而失去的電子。因此，工作壓力必須有其限制，通常控制在10-2~10-4Pa之間。若工作壓力太高，則電子在迴旋加速的過程，將伴隨許多電子間之碰撞，如此，將使的共振頻率降低，會將低磁場的效能。同樣的，若工作壓力太低，則電子所產生的有效碰撞次數會很少，產生的離子數目也相對的減少，不利於離子束的形成。 2-3微波(microwave)原理 由圖2-2[2]可以了解微波為何能激發出電漿，當微波進入Ar氣體中時，電子(存在於大氣中)因與氣體碰撞而改變其原先之混亂方向，部份電子將受到微波電場之影響，而改變相位，藉此獲得加速度。如圖2-2(a)[2]所示，微波振動所產生的電場為 由電場作用在電子上之力量，將使電子產生平行於電場方向之加速度，此時，電子之速度與時間的關係，如圖2-2(b)[2]所示。當微波之電場到達零點(π/2)並朝向負方向移動時，則電子之加速度(Ve)將達到負值之最大值，並開始行減速度；接