复旦大学微电子器件电子态_图文_百度文库.doc

半导体物理、器件和工艺导论 （第一部分） 半导体物理和半导体器件物理 ?复旦大学微电子研究院 ?包宗明 ?Baozm@ 本课程的目的 ?为后继课程的学习打基础； ?提高工作中分析问题和解决问题的能力；?提高今后工作中继续学习和研究的能力。主要参考书： 《双极型与MOS半导体器件原理》黄均鼐汤庭鳌编著 其他参考书： 1、《半导体物理学》刘恩科国防工业出版社（1994） 2、R.M.Warner,B.L.GrungSemiconductor-Device Electronics (《半导体器件电子学》吕长志等译，电子工业出版社2005年2月出版) 3、Robert F. PierretSemiconductor Device Fundamental (《半导体器件基础》黄如等译，电子工业出版社2004年11月出版) 要求 ?这门课程是本科三门课程的集合，本科课堂教学约200学时，而且学习难度比较大，和后继课程关系密切，你们必须努力学习。 ?本课程学习范围限于课堂内容。参考书中相关的内容自己选择阅读。 ?不无故缺课。 ?认真听课（记笔记)。 ?认真复习(研读笔记或ppt，看参考书相关内容）。 ?认真整理重点内容。 ?认真做习题。 半导体物理和半导体器件物理? ? ? ? ? ? ? ?半导体中的电子状态平衡态电子统计分布电导率和迁移率非平衡载流子结MOSC-VBJT（双极型晶体管）MOSFET(MOS晶体管） 单晶半导体 ?单晶：原子在空间按一定的规律周期性排列。 ?金刚石、硅、砷化镓等大部分半导体是两个面心立方晶格的套移。后者两个格子是 由异种原子组成。 晶列指数-晶向指数?任何两个原子之间的连线在空间有许多与它相同的平行线。?一族平行线所指的方向用晶列指数表示?晶列指数是按晶列矢量在坐标轴上的投影的比例取互质数?[111]、[100]、 [110] 第一章半导体中的电子状态?半导体中的电子可能处在哪些能量状态?处在不同能量状态的电子的行为不同。?引入有效质量就可以用经典力学的方法处理半导体中电子的运动规律，有效质量和能带结构有关。 ?晶体中能带底的电子在外电场作用下表现为正质量，能带顶的电子表现为负质量。 ?接近填满的能带中电子运动的总效果可以用虚拟的粒子‘空穴’来描述。 ?单晶体中电子允许存在的状态？?不同状态电子的行为？ 单晶体中电子的能带结构 （E、k关系） ?薛定谔方程－势能模型－求解能带结构（E-k关系）。?用量子力学的方法可以求出各种单晶体中的电子在理想状态下的能量（E）、波矢（k）关系。 ?它既不同于自由电子的能量随波矢连续增加也不同于原子中的电子处于分立的能量状态，而是形成能带。?E是k的周期性函数，而且和方向有关。 ?从E~k关系可以说明半导体的各种电学和光学性质：可以得到有效质量；可以知道在相同的电场作用下，那些半导体中的电子速度比较快；可以解释为什么有的半导体在强电场时会出现微分负阻效应；可以了解那些半导体适合于制造发光器件。。。。 轨道交叠 ?当空间周期性排列的原子间距缩小使原子的价电子轨 道发生交叠时就会出现共有化运动。 能级转变为能带 ?当原子之间距离逐步接近时，原子周围电子的能级逐步转变为能带，下图是金刚石结构能级 向能带演变的示意图。 晶体中电子的运动对电流的贡献?量子力学计算表明单晶体中电子运动对电流的贡献可以用自由电子类似的方法处理。 ?当能带中电子的填充率比较低的时候，只需把电子的质量改为有效质量。 ?当能带接近填满的情况下，可以引入空穴来替代该能带中所有电子对电流的总贡献。 ?空穴是一个虚拟的粒子，它带有正电荷，电量是一个电子电荷，有效质量是该能带顶电子有效质量的负值。因为能带顶电子的有效质量是负值，所以空穴的有效质量是正值。 硅和砷化镓的能带 硅和砷化镓能带的特征? ? ? ? ? ?砷化镓导带底和价带顶同时在波矢为零处，称为直接能带，而硅导带底不在波矢为零处，称为间接能带；硅在第一布里渊区导带底有六个最小值；价带顶都有两个分支，所以有两种载流子（轻空穴和重空穴），变化比较大的曲线对应的有效质量小；砷化镓导带的底部（称为主能谷）和上面的极小值(称为子能谷）之间能量差只有0.29eV，高于常温电子的热运动能量0.026eV；砷化镓的导带中，和主能谷相比，子能谷的电子状态密度大而电子迁移率低；砷化镓在第一布里渊区有八个子能谷。 施主和受主能级 硅：P(0.045)、As(0.049)、Sb(0.039) B(0.045)、Al(0.057)、Ga(0.065)、In(0.16)锗：P(0.012)、As(0.013)、