SJ-50033.160-2002 半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范.pdf

中华人民共和国电子行业军用标准 FL 5961 SJ50033/160-2002 半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detailspecificationfartype3DG122siliconUHFlow-powertransistor 2002-10-30发布 2003-03-01实施 中华人 民共和 国信 息产业部 批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件 3DG122型硅超高频小功率晶体管详细规范 SJ 50033/160-2002 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG122 silicon UHF lout-power transistor 1 范围 1. 1主题内容 本规范规定了3DG122型硅超高频4锄率.藻摊巷女亡多参蒲貂黔扣.的详细要求。 1.2适用范围 本规范适用于器件例研制诀坐产伴口采购。 1.3 分类 本规范根据器件质量等级进行分类。 1.3.1器件的等级 按GJB 33A子9.7一心娜李体汾立器件总规范妙f3中的规定，提供效预量保证等级丈妞tJ军级、特 军级和超特军级主级钾分别甩穿母JP. } JT和JGT.表研乏a 2 引用文件 GBIT 4587冬岁刻袭导体分立添件和集成奄滓各‘{鳍祥琴臀:双极犁裁体管 GBIT 7581-487伴导体汾文器件外形尺寸 GJB 33A一91, GJB 128A一9}t}、军澎体4文熟作胃翼芳飞忿少一 3 要求 3.1详细要求 各项要求应符合GJB 3JA和本斌范的规定。一 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺寸应符vGJB.j扒和本规苑钓规定。 3.2.1 引出端材料和镀涂层 发射极、基极和集电极引出端材料为可伐合金，引出端表面镀金。 3.2.2器件结构 采用硅平面NPN双极型外延结构。 3.2.3外形尺寸 外形尺寸按GBIT 7581中A3-02B型的规定，见图1 0 一一一-一一-一-一一一一-一一 中华人民共和国信息产业部2002-10-3。发布 2003-03-01实施 1 sJ50033/160-2002 m m 尺 寸 符号 最小 标称 最大 A 6.10 6.60 和 5.48 必I 1.01 必? 0.