SJ-50033.155-2002 半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范.pdf

昌 瓜 酬 中华人 民共和 国电子行业军用标准 FL 5951 SJ50033/155--2002 半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管 详 细 规 范 Semiconductordiscretedevices Detailspecificationfortype3DG252siliconmicrowavelinearitytransistor 2002-10-30发布 2003-03-01实施 中华人民共和 国信息产业部 批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件 SJ 50033/1552002 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG252 silicon microwave linearity transistor 范围 1.1主题内容 本规范规定了3DG252型硅微波线性品体管(以下简称器件}的详细要求. 1.2适用范围 本规范适用于器件的研制、吐ero 1.3 分类 本规范根据器件质夏等级进f-Y5}} o 1.3.1器件的等级 按GJB 33A--9了《半导体气立疑件忿规艳T. Ju3的规定，提供的质蛋聋凳!暮级为汁军级、特军级和 超特军级三级，3}`M用.字母工贬影J乍汗介JCT表示。 引用文件 GBIT 4587烤94一‘半导} 立器E油集f电摊卜第7部分:双极型晶林UU=,. GB/T。 758，澹‘，伴导体分立nciALua件外形尺 GJB 33A一97 44 分立器件总规范 I GJB 128A一卯 it-,试验冻法 要求 详细要求 各项要求应符合GJB 3熟和本规范的规定。 设计、结构和外形尺寸- 器件的设计、结构和外形}I rly一符赞拍3争峨只本规范昨规粼 , 。1引出端材料和镀涂层 发射极、墓极和集电极引出端材料为可伐苔釜广砰弓T出端表面镀金。 .2器件结构 采用硅平面NPNA极型外延结构。 .3外形尺寸 外形尺寸按GB/T 7581中E4-02A型的规定，见图la 中华人民共和国信息产业部2042-1x-30发布 2003-03-01实施 SJ500331155-2002 尺 寸 符号 最小 最大 A 1.3 1,6 bx 1.1 2.0 by