SJ-50033.159-2002 半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范.pdf

中华人 民共和国电子行业军用标准 FL 5961 SJ50033/159-2002 半导体分立器件 3DG1 型硅超高频低噪声晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detailspecificationfortype3DG142siliconUHFlow-noisetransistor 2002--10--30发布 2003-03-01实施 中华人 民共和 国信息产业部 批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件 3DG 142型硅超高频低噪声晶体管详细规范 5J 50033/159.2002 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG142 silicon UHF low-noise transistor 范围 .1 主题内容 . 本规范规定了3DG142型硅超高频低噪产‘性磊体管C以卞简称器件)的详细要求。 .2 适用范围 本规范适用于器件的研对又属至产不{课两泵 .3 分类 本规范根据器件质:R:4级ae分类。 .31器件的等9;, 竣 按GJB 33A书7《半导狂分览.器件总规范II汀;3的规定，提供白够贷豪保证等级为瞥军级、特军 级和超特军级三级，份别用争脚P每一J呀盯酥表录a 2 引用文件 GBIT 4587+0一‘半导体分劲立器件和一集成电琳第7部分:双极型.彝丝一管 GBIT 75 81= 8粉半导体矜奕器作外形尺寸- GJB 33A一97 r`导体分立器件总规范 GJB 128A一97、·半导1体;荃立器件，试验方瑙寥 3 要求 3.1详细要求 各项要求应符合GJB_33入种本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计、结构和外形尺吐应一符 GI B,-., }六 本规筵的规定_.:.0 3.2.1引出端材料和镀涂层 发射极、基极和集电极引出端材料为可伐合金，引出端表面镀金。 3.2.2 器件结构 采用硅平面NPN双极型外延结构. 3.2.3外形尺寸 外形尺寸按GBIT 7581中A4-0 I C型的规定，见图I。 中华人民共和国信息产业部2002-14--30发布 2003-03-01实施 SJ50033/159--2002 必D 叻Q 450 暇 mm 尺 寸 符号 最小 标称 最大 .4 5.34 7.23 OD, 咖 2.54 必f 1.01