光电子器件-第六章ccd和cmos课件.pptVIP

6.2.5转移信道结构 体沟道CCD （BCCD) 模拟信号 数字信号 6.2.6 通道的横向限制 　　　如果电极间距较大，势阱形状将发生弯曲变化，会使信号电荷漏出，外面的电荷也会漏进来。为了限制势阱的横向范围，形成一个高势能的位垒，将沟道与沟道隔开。目前的横向限制工艺有沟阻扩散和氧化物台阶法。 １、加屏蔽电场： 　　　在屏蔽极上施以与栅极极性相反的电压，以吸收多子，造成多子在耗尽层内横向边界上的堆积，以限制耗尽层区的横向扩展。 ２、氧化物台阶法： 　　　氧化物越厚，表面势越小，势阱越浅。使耗尽层以外的氧化层厚度加厚，保证它下面不会深耗尽，自动限制了势垒的高度 ３、沟阻扩散法： 　　　利用掺杂浓度越高，表面势越小，势阱越浅，在同一珊压下，局部掺杂浓度不同。 6.2.6. 电荷的注入和检测 （1）光注入 Qin=ηqNeoAtc 式中：η为材料的量子效率；q为电子电荷量； Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。 （2 ） 电注入 (1) 电流注入法 (2) 电压注入法 如图 （a）所示为电流注入法结构 如图（b）所示为电压注入法结构 （3）电荷的检测(输出方式) 输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS的关系 Qs=Iddt 6.4 CCD的特性参数 （1） 电荷转移效率η和电荷转移损失率ε 电荷转移效率为 电荷转移损失率为 电荷转移效率与损失率的关系为 （2） 驱动频率 ①　驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为τi 则 ②　驱动频率的上限 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg 则 6.5电荷耦合成像器件6.5.1 CCD线列图像器件　　线型器件，它可以直接将接收到的一维光信息转换成时序的电信号输出，获得一维的图像信号。若想用线阵CCD获得二维图像信号，必须使线阵CCD与二维图像作相对的扫描运动，所以用线阵CCD对匀速运动物体进行扫描成像是非常方便的。 1－CCD转移寄存器 2－转移控制栅 3－积蓄控制电极 4—光敏区 SH—转移控制栅输入端 RS—复位控制 VOD—漏极输出 OS—图像信号输出 OG—输出控制栅 线型图像传感器结构 上一页 下一页 返 回 线型CCD图像传感器工作过程 　 线型CCD图像传感器由一列光敏元件与一列CCD并行且对应的构成一个主体,在它们之间设有一个转移控制栅,如图所示。在每一个光敏元件上都有一个梳状公共电极,由一个P型沟阻使其在电气上隔开。当入射光照射在光敏元件阵列上,梳状电极施加高电压时,光敏元件聚集光电荷,进行光积分,光电荷与光照强度和光积分时间成正比。 在光积分时间结束时,转移栅上的电压提高(平时低电压),与CCD对应的电极也同时处于高电压状态。然后,降低梳状电极电压，各光敏元件中所积累的光电电荷并行地转移到移位寄存器中。当转移完毕,转移栅电压降低,梳妆电极电压回复原来的高电压状态,准备下一次光积分周期。同时,在电荷耦合移位寄存器上加上时钟脉冲,将存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。这个过程重复地进行就得到相继的行输出,从而读出电荷图形。 线型CCD摄像器件的两种基本形式 (1)单沟道线阵CCD 图8-26所示为三相单沟道线阵CCD的结构图。 (2) 双沟道线阵CCD 图8-27为双沟道线阵CCD摄像器件。它具有两列CCD模拟移位寄存器A与B，分列在像敏阵列的两边。 实用的线型CCD图像传感器为双行结构，如图（b）所示。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移到上、下方的移位寄存器中，在控制脉冲的作用下，自左向右移动，在输出端交替合并输出，就形成了原来光敏信号电荷的顺序。 (a) (b) 线型CCD图像传感器 转移栅 光积分单元 不透光的电荷转移结构 输出 光积分区 输出 转移栅 6.5.2面阵电荷耦合器件成像器件（ACCID) (a)x-y 选址 (b)行选址 (c)帧场传输式 (d)行间传输式 上一页 下一页 返 回 (1) 帧转移面阵CCD 图8-28为三相面阵帧转移摄像器的原理结构图。它由成像区(像敏区)、暂存区和水平读出寄存器等三部分构成。 (2) 行间转移型面阵CCD 隔列转移型面阵CCD的结构如图8-29(a)所示。 图8-29（b）是隔列转移型面阵CCD的二相