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第7章 存储器 主要内容 微型机存储系统的概念和体系结构 存储器的分类及其特点 半导体存储芯片的外部特性、与系统的连接 高速缓冲存储器(Cache)一般概念 存储器管理技术 7.1 概述 存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备 用来存放程序、数据、结果等信息 由速度慢到快、容量大到小的多层(级)存储器构成 7.1.1 存储系统和体系结构 组成:将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法连接起来构成存储系统。 1.微机的存储系统 2.存储系统的层次结构 3.存储器系统的组成 一个存储系统由若干个存储器组成。一个存储器的主要部分: (1)基本存储单元:是构成存储器的基本单位。一个基本存储单元存放一位二进制信息 (2)存储体:是由若干个基本存储单元构成的存储矩阵(阵列),如矩阵M×N存放M×N个二进制信息。 (3)地址译码器:用编号(地址)区分存储器的每个存储单元。地址译码器接受CPU送来的地址信号,以此选择相应的存储单元,进行读/写操作 (4)片选信号:从多个存储器芯片中选择要使用的芯片。 7.1.2 存储器主要指标 存储容量:存储器容纳的二进制信息总量,单位为字节 存储速度:由存取周期和存储器带宽决定 存取周期TMC:存储器两次存取操作之间所需的最短时间 存储器带宽:单位时间内存储器读写的字节数(字节/每秒) 可靠性:与半导体存储器芯片平均故障间隔时间(MTBF)有关 功耗: 耗电等 7.1.3 存储器的分类 主存储器(主存、内存) ——半导体存储器 辅助存储器(辅存或外存) 高速缓冲存储器(缓存) 2.半导体存储器分类 随机存取存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 一、只读存储器(ROM) ROM:Read Only Memory 特点: 可随机读取数据,但不能随机写入 掉电后信息不丢失 用途: 存放永久性的系统程序和服务程序,如BIOS ①固定(掩模)型只读存储器 MROM(Mask Read Only Memory) 特点: 由厂家写入固定信息,用户不能修改,只能读取 ②一次编程型只读存储器 PROM (Program Read Only Memory) 特点: 只能写一次。出厂时,内容全为0 用户使用时,由写入器写入1 例如:熔丝型PROM,开始连通,可用高电流烧断。 ③可重写只读存储器 EPROM (Erasable PROM) 特点: 可多次编程写入 掉电后内容不丢失 内容的擦除需用紫外线擦除器 ④电擦除可重写只读存储器 EEPROM或 E2PROM (Electrical Erasable PROM) 特点: 不必从机器中取下来,可在线编程写入 使用方便,掉电后内容不丢失 ⑤闪速存储器 Flash Memory (称快擦写型存储器) 特点: 无需后备电源 可实现在线编程 编程写入及擦除速度快 二、随机读写存储器RAM RAM (Random Access Memory)读写存储器,可随时读或写 分为SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器) SRAM基本存储单元是双稳态元件。不断电时信息不会被破坏 DRAM靠电容充、放电原理存放信息,因电容电荷会泄露,所以信息会丢失,必须定时进行刷新(充电),以便维持存放的信息 DRAM和SRAM的用途 DRAM存储单元结构非常简单,集成度远高于SRAM SRAM主要用在高速缓冲存储器或小容量的存储系统中 DRAM主要用做内存(主存) 存储器空间分配实例—IBM PC/XT 7.2 RAM存储器实例 RAM:Random Access Memory 功能:存放计算机系统中当前执行的程序、中间结果等 分类:SRAM、DRAM两类 材料:半导体 实例:内存条 7.2.1 静态随机存取存储器SRAM SRAM:Static Random Access Memory 特点:基本存储元由双稳电路构成,存储信息稳定。 不需要定期刷新。 实例:Cache 内容:主要引脚功能、与系统连接 SRAM存储器芯片Intel 6264 地址线:A0~A12 数据线:D0~D7 输出允许信号:OE 写允许信号:WE 选片信号:CS1、CS2 6264芯片与系统的连接 译码电路 变换输入的一组高位地址信号,产生一个有效的输出信号,用于选中某一个存储器芯片,从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围。 存储芯片的译码方式 译码方式:全地址译码、部分地址译码 全地址译码: 用全部的高位地址选择存储芯片,用低位地址选择片内的存储单元,每一个存储单元有一个唯一地址。 部分地址译码: 用部分高位地址选择芯片,低位地址选择片内的存储单元,存储器芯片有几组不同的地址范围
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