SJ-50033.151-2002 半导体分立器件 2DW14～18型低噪声硅电压基准二极管详细规范.pdf

中华人民共和 国电子行业军用标准 FL5961 SJ50033/151-2002 半导体分立器件 2DW14^}18型低噪声硅电压基准二极管 详 细 规 范 Semiconductordiscretedevice Detailspecificationforlow-noisesiliconvoltage- regulatordiodesfortypes2DW14~18 2002-10-30发布 2003-03-01实施 中华人 民共和 国信息产业部 批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件 2DW 1418型低噪声硅电压基准二极管 详 细 规 范 5J 50033/151--2002 Semiconductor discrete device Detail specification for low-noise silicon voltage-regulator diodes for type 2DW 14^-18 1 范围 1.1主题内容 本规范规定了2DW 1441. d-耀低二.. p声硅屯压基准二极管’一溉;躺称器子冲爷勺详细要求· 1.2适用范围 本规范适用于器件的研I 生产和采购。 1.3分类 本规范根据器件质髯保翔等级翅行分类畜 1.3.1器件的瞥级: 按GJB 33人 -为 .`《 r导休分立器件总规范》’‘’1.3.1的规定，提供的一a飞UE等级肠丫普车、特军和超 特军三级，分别用字母护、犷丫一承};jCt表示薄卜: 2引用文件 GBIT 6571斗19时、年享饭器计 分立器雌于续违部从、脑旦城旗辉狂关)弃口魂整写极管 GBIT 7581X901-多纂军权分:立舞作外形一尺}411_ GJB 33A-97:卒导弓体介立器件总一奴范之 GJB 128A--97一半导休分狱器件试验方法 3 要求 3.1详细要求 各项要求应按GJ13 33A和本规范的规定。 3.2设计、结构和外形尺寸 器件的设计和结构应按G.1B 33A和本规范的规定。 3.2.1引出端材料和涂层 引出端材料为可伐，引出端表面应为金层或镍层，对引出端涂层另有要求时，在合同或订货单中予 以规定。 中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布 2033-03-01实施 SJ5003311512002 3.2.2 器件的结构 器件采用金属管壳全密封封装结构。 管芯采用平面工艺，管芯与管座之间采用高温冶金键合。 3.2.3 器件电原理图 3.2.4 外形尺寸 外形尺寸应符合GB/T7581中的A3-02B(B4)型及本规范的规定(见图1}a m m 必D A3-02B (B4) min nom m nX 41J A