SJ-50033.161-2002 半导体分立器件2CW210～251型硅电压调整二极管详细规范.pdf

昌 陌 酬 中华人 民共和 国电子行业军用标准 FL5961 SJ50033/161-2002 半导体分立器件 2CW210}251型硅电压调整二极管 详细规范 Semiconductordiscretedevice Detailspecificationforsiliconvoltage-regulatordiodefortype2Cw210一251 2002-10-30发布 2003--03-01实施 中华人 民共和 国信息产业部 批准 中华人民共和国电子行业军用标准 半导体分立器件 2CW210,-x251型硅电压调整二极管详细规范 SJ 50033/161--2002 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon voltage-regulator diode for type 2CW210-251 1 范围 1.1主题内容 本规范规定了2 CV210 -25了澳硅虫沐姗整窃.极鹭一:蛋以犷姨移器件)的详细要求。 1.2适用范围 本规范适用于器件的研策卿生i1}1_和采购。 1.3 分类 本规范根据器件质量保证等级进行分类。 1.3.1器件的等级 按GJB 3执=9丫《军导群一分狱k件游舰范减1.3.1的规定，提供撇质员保 rplir级为铃军级、 特军级和超特耸级厂扩另J角李海JP. JT和允工:级示。 2 引用文件 GBIT 6511-=- Mm半导体器于仁扮立器钱黔斗夏部分:信成次戴A开关)卿调整二极管 GBfr 75叭书巍7半异，体分立器件外戒一澎步1 GJB 33A决97-}半导休分立器件总规麒 GJB 128A--}97;架孰体分立滚亨件iA验方法 3要求 3.1详细要求 各项要求应按GJB 3狱和本规范的规定， 3.2设计、结构和外形尺寸一、 器件的设计和结构应按GJB 33考fql本到范的规定0 3.2.1引出端材料和镀涂层 引出端材料为无氧铜，引出端表面应为锡层，对引出端镀涂，另有要求时，在合同或订货 单中予以规定。 3.2.2器件的结构 器件为玻璃钝化封装非空腔结构，芯片采用台面型，芯片和引出线之间采用高温冶金键合。 对于该封装结构器件，GJB 33A中3.5.1.1, 3.5.1.2和附录A4.1.10.3的规定不适用。 2003-03-01实施 中华人民共和国信息产业部2002-10-3。发布 5J50033/161--2002 3.2.3 外形尺寸 外形尺寸应符合GBfT758187中的D2-10A型及图1的规定。 N 心 色 负极标志 D2-10A min 育汁之义 nom