第4讲-晶体三极管mm..pptVIP

第四讲 晶体三极管 第四讲 晶体三极管 双极型三极管 晶体三极管中有电子和空穴参与导电，故称之为双极型晶体管（BJT），又称半导体三极管。 1.分类 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率 2.内部结构和放大的条件 内部结构：基区很薄且掺杂少，发射区掺杂高， 集电区面积大。 外部条件：所加电源的极性应使发射结正偏、 集电结反偏。 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理及各级电流关系 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 1.测试电路简介 3. 输出特性 晶体管的三个工作区域 （1）截止区；其特征是发射结电压小于开启电压 UON，且集电结反向偏置。即对于共射电路，Ube小于UON且uCE大于Ube。此时 IB=0，而ic小于ICEO。小功率硅管的ICEO在1μA以下，锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似分析中可以认为晶体管截止时的。 （2）放大区：其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置，即uCEuBE 。IC=?IB，表现出电流控制作用。 （3）饱和区：其特征是发射结与集电结均处于正向偏置，即对于共射电路ub