第+3+章+逻辑门电路.pptVIP

灌电流的计算 饱和压降 R1 T1 +5V +5V R2 R1 3k T2 R3 T1 T5 b1 c1 有关电流的技术参数 (5) 扇入扇出系数 扇入系数Ni：TTL与非门的输入个数 扇出系数No：与非门电路输出能驱动同类门的个数。它用以衡量逻辑门的负载能力。 扇出系数根据负载性质不同而不同。 IiH1 IiH3 IOH 前级输出为 高电平时： +5V R4 R2 R5 T3 T4 T1 前级 T1 T1 IiH2 T1 T1 T1 +5V R2 R1 3k T2 R3 T1 T5 b1 c1 前级 IOL IiL1 IiL2 IiL3 前级输出为低电平时： 与非门的扇出系数一般是10。 (6) 平均传输延迟时间 tpd 50% 50% tpd1 tpd2 TTL的 tpd 约在 10ns ~ 40ns，此值愈小愈好。 输入波形ui 输出波形uO 想一想： 在三极管构成的非门电路中，如果f=1MHZ,tpd=1μs，原有的逻辑功能还符合吗？ 3.2.3 TTL集电极开路门 一、 问题的提出 标准TTL与非门进行与运算: A B E F C D G 1 A B E F C D G 能否“线与”？ （Open Collector) +5V R4 R2 T3 T4 T5 R3 TTL与非门的输出电阻很低。这时，直接线与会使电流 i 剧烈增加。 i? 功耗? T4热击穿 UOL ? 与非门2： ?不允许直接“线与” 与非门1 截止 与非门2 导通 UOH UOL 与非门1： i +5V R4 R2 T3 T4 T5 R3 问题：TTL与非门能否直接线与？ RC UCC 集电极悬空 +5V F R2 R1 3k T2 R3 T1 T5 b1 c1 A B C 符号 应用时输出端要接一上拉负载电阻 RC 。 二、OC门结构 特点：RC 和UCC 可以外接。 F = ABC “线与”功能分析： UCC F1 F2 F3 F 分析：F1、F2、F3任一导通，则F=0。 F1、F2、F3全截止，则F=1 。 输出级 RL UCC RL T5 T5 T5 ?F=F1F2F3 3.2.4 三态门 “0” 控制端 D E T5 Y R3 R5 A B R4 R2 R1 T3 T4 T2 +5V T1 1.工作原理 导通 1V 1V 截止 截止 当控制端为低电平“0”时，输出 Y处于开路状态，也称为高阻状态。 当控制端为高电平“1”时，实现正常的“与非”逻辑关系 Y=A?B “1” 控制端 D E 1.工作原理 T5 Y R3 R5 A B R4 R2 R1 T3 T4 T2 +5V T1 截止 Y E B A 逻辑符号 ? ? 0 高阻 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 ?表示任意态 三态输出“与非”状态表 A B E Y 输出高阻 功能表 2．三态门的主要应用 （1）TTL与总线之间接口，实现分时传输 总线 A1 B1 EN1 A2 B2 EN2 A3 B3 EN3 A1 B1 可实现用一条总线分时传送几个不同的数据或控制信号。 “1” “0” “0” (2) 数据的双向传输 EN=1，G1工作，G2高阻，Do经G1反相送至总线。 EN=0，G2工作， G1高阻，总线数据经G2反相从Di端送出。 1 0 D1 3.5 MOS门电路 MOS电路的特点： 2. 是电压控制元件，静态功耗小。 3. 允许电源电压范围宽（3?18V）。 4. 扇出系数大，抗噪声容限大。 优点 1. 工艺简单，集成度高。 缺点：工作速度比TTL低 。 3.5.1 MOS管的开关特性 1、MOS管的基本开关电路 当vI=vGSVGS(th)时，MOS管工作在截止区,只要RDROFF,v0=VOH?VDD. 当vI=vGSVGS(th)时，MOS管处于导通状态, 只要RDRON , v0=VOL?0. 2、MOS管的开关等效电路 由于MOS管截止时漏极和源级之间的内阻ROFF非常大，所以截止状态下的等效电路可用断开的开关代替。MOS管在导通状态下的内阻RON约在1K?以内，而且与VGS的数值有关。所以需画出。 (a) 截止状态 (b) 导通状态 * * * * * * 第 3 章 逻辑门电路 介绍各种门电路的功能及特点，重点掌握门电路的外部特性即引脚功能及其应用。 概述 第 3 章 逻辑门电路