GB/T 17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法.pdf

ICS 77.040 H 17 GB 中华人民共和 国 国彖标淮 GB/T 17170—2015 代善 GB/T 17170—1997 半绝缘碑化卡家单晶深施主EL2 浓度红外吸收测试方法 Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy 2015-12-10 发布 2016-07-01 实施 幅畿勰畫曹1警彎畫发布 GB/T 17170—2015 -—1— 刖 旨 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 17170—1997 《非掺杂半绝缘神化傢单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》。 本标准与GB/T 17170-1997相比，主要有以下变化： 修改了标准名称； ——增加了“规范性引用文件” “术语和定义” “干扰因素”和 “测试环境”等章； -扩展了半绝缘碑化傢单晶电阻率范围，将电阻率大于IO? Q • cm修改为大于10 Q • cm； ——将范围由“非掺杂半绝缘碑化傢单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘神化傢单晶”； —-—删除了 0.4 mm〜2 mm厚度测试样品的解理制样方法。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会 (SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、 中国电子材料行业协会。 本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪回。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T 17170—1997O GB/T 17170—2015 半绝缘碑化镌单晶深施主EL2 浓度红外吸收测试方法 1范围 本标准规定了半绝缘神化镣单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10 Q • cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘神化傢单晶深施主EL2浓度的 测定。 本标准不适用于掺锯半绝缘神化傢单晶深施主EL2浓度的测定。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 EL2 浓度 EL2 concentration EL2 （碑化稼单晶中的一种本征缺陷）在神化傢单晶体内的浓度。 4方法提要 半绝缘神化傢单晶中深施主EL2的红外吸收系数a与EL2浓度具有对应关系，测量1.097 2 处的红外吸收系数并由经验校准公式可计算EL2浓度。红外吸收系数a与EL2浓度的关系参见 附录A。 5干扰因素 5.1杂散光到达检测器,将导致EL2浓度测试结果出现偏差。 5.2测试样品的测试面积应大于光阑孔径，否则可能导致错误的测试结果。 6仪器 6.1分光光度计:能在0.8卩m〜2.5