第1章-绪论-半导体器件概况.pptVIP

耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能 夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS UGS（OFF） 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 UGS0 UGS=0 m uGS ? iD g ? = 跨导 思考题 1、晶体管放大的内部条件和外部条件是什么？ 2、晶体管有哪些工作状态？ 3、晶体管为什么可作为开关元件使用？ 4、温度对晶体管的性能参数有什么影响？ 5、怎样用万用表判别晶体管的类型和管脚？ 6、增强型MOS管与耗尽型MOS管有何区别？ 7、为什么说MOS管是单极型器件？跨导指什么？ 习题：P23 1.11; 1.12 ; 1.16 * * * * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * PASS * * PASS * PASS * PA * PASS * PASS * PASS * PASS * * PASS * 第3节 稳压二极管 U 稳压误差 I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ + - 曲线越陡， 电压越稳定。 特点： 1、通常工作在反向击穿区； 2、反向击穿特性较陡。 伏安特性 主要参数 1、稳定电压 UZ； 2、稳定电流IZ；最大稳定电流IZM； 3、电压温度系数CTU（± %/℃）； 4、最大允许功耗PZM=UZIZM； 5、动态电阻R