p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片-第三代半导体产业技术创新.pdfVIP

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2019-07-07 发布于天津
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p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片-第三代半导体产业技术创新.pdf

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第三代半导体产业技术创新战略联盟标准沟道器件用碳化硅外延晶片版本发布第三代半导体产业技术创新战略联盟发布目录前言范围规范性引用文件术语和定义分类和标记产品分类标记要求衬底表面缺陷表面粗糙度外延层厚度均匀性掺杂浓度均匀性试验方法试验条件衬底检测表面缺陷检测表面粗糙度检测外延层厚度均匀性检测掺杂浓度均匀性检测检验规则检验分类交付检验鉴定检验标志包装运输和贮存标志包装运输储存附录资料性附录表面缺陷检测方法附录资料性附录表面粗糙度检测方法附录资料性附录外延层厚度检测方法附录资料性附录外延层掺杂浓度检测方

CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准 T/CASA 003-20 18 p 沟道 IGBT器件用4H 碳化硅外延晶片 4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices 版本：V01.00 2018-11-20 发布第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASA 003-2018 目录前言III 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 分类和标记2 4.1 产品分类2 4.2 标记2 5 要求3 5.1 衬底3 5.2 表面缺陷3 5.3 表面粗糙度3 5.4 外延层厚度均匀性4 5.5 掺杂浓度均匀性4 6 试验方法4 6.1 试验条件4 6.2 衬底检测4 6.3 表面缺陷检测5 6.4 表面粗糙度检测5 6.5 外延层厚度均匀性检测5 6.6 掺杂浓度均匀性检测7 7 检验规则8 7.1 检验分类8 7.2 交付检验8 7.3 鉴定检验9 8 标志、包装、运输和贮存9 8.1 标志9 8.2 包装 10 8.3 运输 10 8.4 储存 10 附录A （资料性附录）表面缺陷检测方法 11 附录B （资料性附录）表面粗糙度检测方法 11 附录C （资料性附录）外延层厚度检测方法 16 附录D （资料性附录）外延层掺杂浓度检测方法 19 I T/CASA 003-2018 前言 SiC 半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV 级以上高压/超高压SiC 功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiC PiN 二极管、IGBT 及 GTO 晶闸管等。从结构上看，n 沟道IGBT 与n 沟道MOSFET 器件结构类似，所不同的是需要将n 沟道 + + + MOSFET 材料结构中的n 型衬底替换成p 型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p 型 4H-SiC 衬底，为了制造n 沟道IGBT 器件材料，需要使用反转型n 沟道IGBT 器件结构，制造工艺复杂。与n 沟道IGBT 相比，p 沟道IGBT 器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高 + + + 的n 型4H-SiC 衬底，即p 沟道IGBT 器件材料是在n 型4H-SiC 衬底上外延p