半导体器件物理 教学课件 ppt 作者 顾晓清 王广发 十.pptVIP

练习 P157 * 上海电子信息职业技术学院 半导体器件物理 第十章 小尺寸MOS器件的特点 上海电子信息职业技术学院 半导体器件物理 第 10 章 10.1 非均匀掺杂对阈值电压的影响 10.2 MOSFET的小尺寸效应 10.3 习题 ● —— 本章重点 ? 非均匀掺杂对阈值电压的影响 ? MOSFET的小尺寸效应——短沟道效应、窄沟道效应、按比例缩小规则和热电子效应 自从半导体集成电路诞生以来，一直按摩尔定律飞速发展。每个芯片集成的半导体器件的数目已从几十个增加到几十万个甚至上兆个。随着半导体工艺技术的发展和集成电路设计工具的强大，集成密度还在不断的提高。 在提高集成度的过程中，减小每个器件所占的面积，减小器件尺寸是最为重要的一项措施。在过去的几十年内，MOSFET的沟道长度缩小了3个数量级。目前，半导体集成电路中器件的最小尺寸已缩小到第4个数量级，即纳米级。 对于MOSFET来说，随着沟道长度的缩短，出现了一些偏离长沟道器件的性质。MOS器件在尺寸缩小时所出现的一些性能变化会对器件和电路的设计带来重大的影响。 因此，有必要搞清楚小尺寸器件的特点，小尺寸器件一些附加效应的产生机理，以及其参数随尺寸变化的规律。 10.1 非