半导体材料导论6-2.pptVIP

PbTe材料中过量的Pb(或过剩Te)，可以形成材料的P型(或N型)掺杂。另一方面，若在材料中存在有Pb(或Te)空位，也具有类似的掺杂作用。因此，两类缺陷会实现补偿，达到平衡时，材料仍呈本征导电，团此，PbTe材料的组分化学配比，可以在一个范围内发生改变，而不会影响到材料的本征特性。然而，由于过量Pb(或过量Te、Pb空位、Te空位)在PbTe材料中的固溶度较低，仅为万分之一左右，因此采用这种方法获得的载流子浓度最高也不过1025m-3。该数值比PbTe材料作为温差电应用所要求的掺杂浓度低，为获得最佳的载流子浓度，就必须采用外族杂质原于掺杂。 外族杂质原子是替位形的，可占据Te原子或是Pb原于格点，例如，用Cl-1取代Te-2可获得施主掺杂，也可用Na+1取代Pb+2获得受主掺杂。实际往往使用PbCl2、PbBr2、Bi2Te3、Ge2Te3等作为施主掺杂剂．而采用Na2Te、K2Te等作为受主掺杂。 对PbTe输运特性的实验研究表明，迁移率随温度的变比遵从T-2.5~T-3.0关系。然而，若要用前面介绍的理论对这个实验结果给出较好的解释，必须假设载流子的散射是两个声子与一个载流子同时发生相互作用的过程，而不是惯常的仅涉及一个声子和一个载流子的过程。 科洛摩茨(Kolomoets)等人认为，这种情况在温度较高时是可以发生的。他们由此确定PbTe的散射因子s~0，有效质量m*/