半导体物理与器件 教学课件 ppt 作者 裴素华 第6章 Ga在SiO2SI结构下的开管掺杂.pptVIP

第6章 Ga在SiO2/Si结构下的开管掺杂 6.1 Ga在SiO2/Si系开管掺杂的背景6.1.1 传统扩散杂质的选择 6.1.3 Ga在SiO2/Si系下单温区开管掺杂的产生 经多次实验证明，Ga在裸硅下的开管掺杂和在SiO2/Si系下的开管掺杂具有两种不同的掺杂效应，得到两种截然不同的掺杂效果。由于裸硅表面存有大量悬挂键且暴露在气相中，易造成分子、原子和离子类型的杂质污染，在高温下很容易形成Ga的局部富集产生合金点、凹坑和硅片边缘的棉絮状物质，扩散表面不均匀、重复性差；而Ga在SiO2/Si系下扩散，扩散表面状况良好，不容易产生合金点和腐蚀坑，扩散浓度容易控制而且重复性好。 6.2 开管扩镓原理6.2.1 扩散装置与系统内的化学反应 6.2.2 开管扩镓的主要步骤 开管扩镓的整个过程包括氧化、预沉积和再分布三个主要步骤完成。 1．冷水自然滴法氧化 实验得出，冷水自然滴法的氧化速率和SiO2薄膜的致密度均介于常规湿氧氧化和干氧氧化之间，该方法要求在结束氧化前的10分钟停止滴水。一般氧化温度设定为1150℃，滴水速率为20～30滴/min。 2．Ga的预沉积 3．Ga的再分布 开管扩镓可在同一扩散炉内，先后完成预沉积和再分布，再分布后的硅片直接进行一次光刻，刻出发射区窗口，中间不需要做任何处理，以下工序同常规工艺。 6.2.3