模拟电子技术 教学课件 ppt 作者 顾海远 主编例2-8.pdfVIP

【例2-8 】两个场效应管的转移特性曲线分别如图2-55 例2-8 图(a)、(b) 所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数 （开启电压或 夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD 的参考方向为从漏极D 到源极S。 解：本例题涉及到场效应管的转移特性及其参数。根据场效应管的转移 特性确定其夹断电压 (或开启电 压) 以及在某一工作点处的跨导。 1) 例2-8 图(a)中曲线所示的 P 沟道增强型 MOS 管的转移特 性曲线。其开启电压UGS(th) 2 V ， I DO 1 mA (2 UGS(th) ＝－4V 时的 I D )， 由式(4-39)可得，在工作点 （UGS 5 V，I D 2.25 mA ）处 的跨导 2I DO I D 2 ( 1) 2.25 gm 1.5 mS U I 2 1 GS(th) DO 2) 例2-8 图(b)中曲线所示的N 沟道耗尽型MOSFET 的转移特性曲线， 其夹断电压UGS(off) 4