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- 2019-07-05 发布于广东
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第三章 存储器 第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 外存储器 第一节 存储器的分类 除采用磁、光原理的辅存外,其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 按制造工艺 双极型:速度快、集成度低、功耗大 MOS型:速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM:可读可写、断电丢失 只读存储器ROM:正常只读、断电不丢失 半导体存储器的分类 一、读写存储器RAM 二、只读存储器ROM 掩膜ROM:信息制作在芯片中,不可更改 PROM:允许一次编程,此后不可更改 EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程;并允许用户多次擦除和编程 EEPROM(E2PROM):采用加电方法在线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash Memory(闪存):能够快速擦写的EEPROM,但只能按块(Block)擦除 一 、静态随机存取存储器SRAM 集成度低,但速度快,价格高,常用做Cache。 静态读写存贮器(SRAM)使用十分方便,在微型计算机领域获得了极其广泛的应用。现以一块典型的SRAM芯片为例说明其外部特性及工作过程。 (1) 8K×8bit的CMOSRAM芯片 ① 引线功能。6264(6164)有28条引出线,它们包括: A0~A12为13
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