电工学 电子技术 教学课件 ppt 作者 董传岱 _ 1.pptVIP

N沟道增强型MOS 管特性曲线 转移特性曲线 漏极特性曲线 1．5．2 绝缘栅场效应晶体管的4种基本类型 N沟道耗尽型MOS 管结构 在UGS =0时就有导电沟道存在的MOS 管 在UDS为某定值时，耗尽型的MOS 管不论栅—源电压是正是负还是零，在一定范围内都能控制漏极电流ID 的大小。 符号 转移特性 漏极特性 符号 转移特性 漏极特性 1．5．3主要参数 （1）饱和漏极电流 （2）夹断电压 （3）开启电压 （4）直流输入电阻 （5）低频跨导 （6）漏源击穿电压 （7）栅源击穿电压 （8）最大允许耗散功率 当栅源之间的电压UGS =0，而漏源之间的电压UDS大于夹断电压时对应的漏极电流。 当UDS一定时，使沟道被夹断，ID减小到某一个微小电流时所需的UGS值。 当UDS一定时，使管子由不导通变成导通的临界栅—源电压UGS的值。 栅源之间加的电压与栅极电流之比。输入电阻一般大于1010Ω。 当 UDS一定时，ID与UGS的变化量之比 当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。 使栅极电流由零开始剧增时的UGS 漏极耗散功率等于漏极电流与漏源之间电压的乘积，这部分功率将转化为热能。 1．5．4 场效应晶体管和晶体管的比较 （1） 场效应晶体管是电压控制元件而晶体管则是电流控制元件。 （2） 场效应晶体管是单极型晶体管而晶体管则是双极性晶体管。